新型集电区场板结构SiGe HBT器件特性与机理研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第8-10页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第10-12页 |
| 2 SiGeHBT的基本工作原理 | 第12-22页 |
| 2.1 SiGe材料的基本性质 | 第12-14页 |
| 2.1.1 晶体结构 | 第12-13页 |
| 2.1.2 临界厚度 | 第13页 |
| 2.1.3 能带结构 | 第13-14页 |
| 2.2 SiGe异质结的性质 | 第14-16页 |
| 2.3 SiGeHBT的电学特性 | 第16-20页 |
| 2.3.1 直流特性 | 第16-17页 |
| 2.3.2 交流特性 | 第17-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-22页 |
| 3 新型集电区场板结构SiGeHBT | 第22-40页 |
| 3.1 器件结构与机理分析 | 第22-24页 |
| 3.2 直流特性 | 第24-34页 |
| 3.2.1 Gummel特性 | 第24-31页 |
| 3.2.2 输出特性 | 第31-34页 |
| 3.3 频率特性 | 第34-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 新型集电区场板结构SiGeHBT器件优化设计 | 第40-50页 |
| 4.1 场板尺寸变化对电流增益的影响 | 第40-42页 |
| 4.2 场板尺寸变化对频率特性的影响 | 第42-48页 |
| 4.2.1 场板宽度的优化 | 第42-45页 |
| 4.2.2 场板长度的优化 | 第45-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 5 多指发射极SiGeHBT器件特性分析 | 第50-56页 |
| 5.1 多指发射极SiGeHBT器件结构 | 第50-51页 |
| 5.2 多指结构电学特性 | 第51-55页 |
| 5.2.1 直流特性 | 第51-53页 |
| 5.2.2 频率特性 | 第53-54页 |
| 5.2.3 指间距对器件电学特性的影响 | 第54-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 6 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 工作总结 | 第56页 |
| 6.2 展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
