| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第15-31页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-18页 |
| 1.2 二维层状半导体材料的制备方法 | 第18-21页 |
| 1.2.1 机械剥离技术(MechanicalExfoliationtechnology) | 第18-19页 |
| 1.2.2 化学气相沉积方法(ChemicalVaporDeposition) | 第19-20页 |
| 1.2.3 布里奇曼单晶生长法(StocksBridgman) | 第20-21页 |
| 1.3 二维材料的结构和组分表征方式 | 第21-22页 |
| 1.3.1 X射线衍射光谱技术(X-rayDiffraction,XRD) | 第21页 |
| 1.3.2 原子力显微镜技术(AtomicForceMicroscope,AFM) | 第21-22页 |
| 1.3.3 扫描电子显微镜技术(ScanningElectronMicroscope,SEM) | 第22页 |
| 1.3.4 透射电子显微镜技术(TransmissionElectronMicroscope,TEM). | 第22页 |
| 1.4 二维材料的光学表征技术 | 第22-26页 |
| 1.4.1 椭圆偏振光谱技术(SpectroscopicEllipsometry) | 第22-24页 |
| 1.4.2 拉曼散射光谱技术(RamanSpectra) | 第24-25页 |
| 1.4.3 光致发光光谱技术(PhotoluminescenceSpectra) | 第25-26页 |
| 1.5 本章小结 | 第26页 |
| 1.6 本论文主要研究工作 | 第26-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第二章 S掺杂对于GaSe_(1-x)S_x单晶光学性质的影响 | 第31-49页 |
| 2.1 GaSe单晶和GaS单晶研究背景与发展现状 | 第31-32页 |
| 2.2 不同S掺杂的GaSe_(1-x)S_x单晶的制备技术 | 第32-33页 |
| 2.2.1 GaSe_(1-x)S_x单晶生长技术 | 第32-33页 |
| 2.3 GaSe_(1-x)S_x单晶的晶体结构、形貌与组分表征 | 第33-36页 |
| 2.3.1 不同S组分GaSe_(1-x)S_x单晶的晶体结构 | 第33-34页 |
| 2.3.2 S掺杂GaSe_(1-x)S_x单晶的结晶质量与形貌分析 | 第34-36页 |
| 2.4 不同S掺杂浓度的GaSe_(1-x)S_x单晶的光学性质分析 | 第36-43页 |
| 2.4.1 不同S掺杂浓度的GaSe_(1-x)S_x单晶的光学常数 | 第36-38页 |
| 2.4.2 S掺杂对于GaSe_(1-x)S_x单晶的电子跃迁的影响 | 第38-40页 |
| 2.4.3 S掺杂对于GaSe_(1-x)S_x单晶光学吸收的影响 | 第40-42页 |
| 2.4.4 理论结合实验分析S掺杂对GaSe_(1-x)S_x单晶禁带宽度的影响 | 第42-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 第三章 黒磷/二硫化钼异质结晶格振动与光致发光特性研究 | 第49-67页 |
| 3.1 BP/MoS_2的制备 | 第49-52页 |
| 3.1.1 微机械剥离技术制备BP/MoS_2异质结 | 第49-51页 |
| 3.1.2 BP/MoS_2的光学性质表征 | 第51-52页 |
| 3.2 BP/MoS_2异质结的晶格振动模式与光致发光特性随温度的变化趋势.. | 第52-60页 |
| 3.2.1 BP/MoS_2异质结的晶格振动模式随温度的变化关系 | 第52-57页 |
| 3.2.2 BP/MoS_2异质结的光致发光特性随温度的变化关系 | 第57-60页 |
| 3.3 BP/MoS_2的拉曼散射光谱与PL特性随偏振角度与厚度变化趋势分析. | 第60-63页 |
| 3.3.1 偏振角度变化对于BP/MoS_2异质结的晶格振动模式与PL特性的影响 | 第60-61页 |
| 3.3.2 不同BP厚度对BP/MoS_2晶格振动模式的影响 | 第61-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 MoS_2与WS_2晶格振动模式与光致发光特性研究 | 第67-83页 |
| 4.1 MoS_2与WS_2的制备与光学表征 | 第67-72页 |
| 4.1.1 二维层状MoS_2和WS_2的制备 | 第67-71页 |
| 4.1.2 MoS_2与WS_2的表面形貌与厚度分析 | 第71-72页 |
| 4.2 温度对二维单层MoS_2和WS_2光学性质的影响 | 第72-78页 |
| 4.2.1 不同温度下二维单层MoS_2和WS_2的晶格振动模式表征 | 第72-77页 |
| 4.2.2 温度变化对MoS_2与WS_2光致发光特性的影响 | 第77-78页 |
| 4.3 本章小结 | 第78-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 5.1 总结 | 第83-84页 |
| 5.2 展望 | 第84-85页 |
| 附录Ⅰ攻读硕士学位期间科研成果清单及奖励 | 第85-87页 |
| 附录Ⅱ致谢 | 第87-88页 |
