Si（Ge）纳米结构薄膜的磁有序研究
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第10页 |
| 1.2 自旋电子学材料分类 | 第10页 |
| 1.3 未掺杂半导体的磁性研究 | 第10-14页 |
| 1.3.1 HfO_2的铁磁性 | 第10-11页 |
| 1.3.2 TiO_2的铁磁性 | 第11页 |
| 1.3.3 ZnO的铁磁性 | 第11-12页 |
| 1.3.4 其它氧化物的铁磁性 | 第12页 |
| 1.3.5 氮化物和硫化物的铁磁性 | 第12-13页 |
| 1.3.6 金属纳米颗粒的铁磁性 | 第13页 |
| 1.3.7 Ⅳ族半导体的铁磁性 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的选题依据及研究内容 | 第14-15页 |
| 2 实验设备与表征技术 | 第15-18页 |
| 2.1 实验设备技术 | 第15-16页 |
| 2.1.1 射频溅射仪 | 第15页 |
| 2.1.2 快速热退火系统 | 第15-16页 |
| 2.2 样品的表征技术 | 第16-18页 |
| 2.2.1 结构和成分表征手段 | 第16页 |
| 2.2.2 形貌表征技术 | 第16页 |
| 2.2.3 电学表征技术 | 第16-17页 |
| 2.2.4 磁学表征技术 | 第17页 |
| 2.2.5 发光表征技术 | 第17-18页 |
| 3 纳米Ge/SiO_2薄膜的磁有序研究 | 第18-31页 |
| 3.1 Ge/SiO_2多层薄膜的磁有序研究 | 第18-24页 |
| 3.1.1 Ge/SiO_2多层薄膜的制备 | 第18-19页 |
| 3.1.2 Ge/SiO_2多层薄膜的特性研究 | 第19-24页 |
| 3.1.3 本节结论 | 第24页 |
| 3.2 Ge-SiO_2复合薄膜的磁有序研究 | 第24-31页 |
| 3.2.1 Ge-SiO_2复合薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 3.2.2 Ge-SiO_2复合薄膜的特性研究 | 第25-29页 |
| 3.2.3 本节结论 | 第29-31页 |
| 4 纳米Ge/SiN多层薄膜的磁有序研究 | 第31-40页 |
| 4.1 Ge/SiN多层薄膜的制备 | 第31页 |
| 4.2 Ge/SiN多层薄膜的特性研究 | 第31-39页 |
| 4.3 本节结论 | 第39-40页 |
| 5 纳米Si/SiN薄膜的磁有序研究 | 第40-49页 |
| 5.1 Si/SiN多层膜的磁有序研究 | 第40-44页 |
| 5.1.1 Si/SiN多层薄膜的制备 | 第40页 |
| 5.1.2 Si/SiN多层薄膜的特性研究 | 第40-44页 |
| 5.1.3 本节结论 | 第44页 |
| 5.2 Si/SiN复合薄膜的磁有序研究 | 第44-49页 |
| 5.2.1 Si/SiN复合薄膜的制备 | 第44-45页 |
| 5.2.2 Si/SiN复合薄膜的特性研究 | 第45-47页 |
| 5.2.3 本节结论 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第58页 |
