| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 Ti0_2 薄膜的特性 | 第10-16页 |
| 1.2.1 Ti0_2 薄膜的耐腐蚀性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Ti0_2 薄膜的光生阴极保护作用 | 第12-14页 |
| 1.2.3 Ti0_2 薄膜的光催化特性 | 第14-16页 |
| 1.2.3.1 光催化机理 | 第14-15页 |
| 1.2.3.2 Ti0_2 薄膜的光催化机理 | 第15-16页 |
| 1.2.4 Ti0_2 薄膜的机械性能 | 第16页 |
| 1.3 Ti0_2 薄膜的制备 | 第16-20页 |
| 1.3.1 电化学沉积法 | 第16-17页 |
| 1.3.2 溶胶-凝胶法 | 第17-18页 |
| 1.3.3 液相沉积法 | 第18页 |
| 1.3.4 溅射法 | 第18-19页 |
| 1.3.5 气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.3.6 离子自组装技术 | 第20页 |
| 1.4 半导体薄膜/溶液界面的结构与性质 | 第20-25页 |
| 1.4.1 半导体/溶液接触后能带结构的变化 | 第20-22页 |
| 1.4.2 半导体/溶液界面电位分布 | 第22-23页 |
| 1.4.3 半导体/溶液界面上的光电化学 | 第23-25页 |
| 1.5 本文研究思路和内容 | 第25-27页 |
| 第二章 实验技术 | 第27-34页 |
| 2.1 碳钢表面NiP/ Ti0_2 复合膜的制备 | 第27-29页 |
| 2.1.1 基体的选择 | 第27页 |
| 2.1.2 化学镀NiP | 第27-28页 |
| 2.1.3 阳极电沉积制备 Ti0_2 薄膜 | 第28-29页 |
| 2.2 NiP/ Ti0_2 复合膜的特征 | 第29-30页 |
| 2.2.1 NiP/ Ti0_2 复合膜形貌及成分分析 | 第29-30页 |
| 2.2.2 NiP/ Ti0_2 复合膜的晶型特征 | 第30页 |
| 2.2.3 Ti0_2 粉末热处理温度的确定(D TA) | 第30页 |
| 2.3 成膜过程中的电化学特性 | 第30-31页 |
| 2.4 NiP/ Ti0_2 复合膜的耐蚀性测试 | 第31-32页 |
| 2.4.1 动电位扫描技术 | 第31-32页 |
| 2.4.2 电化学阻抗谱技术 | 第32页 |
| 2.5 Ti0_2 薄膜光电响应测试 | 第32-34页 |
| 2.5.1 Ti0_2 薄膜的光吸收结果 | 第32-33页 |
| 2.5.2 光电流测试 | 第33页 |
| 2.5.3 光生阴极保护作用测试 | 第33-34页 |
| 第三章 NiP/ Ti0_2 成膜及成膜过程的研究 | 第34-51页 |
| 3.1 NiP过渡层制备及影响因素 | 第34-35页 |
| 3.2 Ti0_2 成膜影响因素及成膜过程的研究 | 第35-39页 |
| 3.2.1 pH值对形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.2 不同pH值样品表面成分变化 | 第37-38页 |
| 3.2.3 pH值对 Ti3+水解过程的影响 | 第38-39页 |
| 3.3 Ti0_2 成膜过程中的特性 | 第39-43页 |
| 3.3.1 线性扫描伏安曲线 | 第39-40页 |
| 3.3.2 循环扫描伏安曲线 | 第40-42页 |
| 3.3.3 优化工艺后NiP/ Ti0_2 复合膜形貌特征 | 第42-43页 |
| 3.4 热处理工艺对复合膜结构的影响 | 第43-51页 |
| 3.4.1 复合膜晶型特征 | 第43-44页 |
| 3.4.2 Ti0_2 晶型转变温度 | 第44-45页 |
| 3.4.3 热处理前后膜表面成分的变化 | 第45-48页 |
| 3.4.4 热处理过程中原子的扩散 | 第48-51页 |
| 第四章 NiP/ Ti0_2 复合膜的特性 | 第51-63页 |
| 4.1 复合膜的耐蚀性特征 | 第51-54页 |
| 4.1.1 动电位扫描极化曲线特征 | 第51-52页 |
| 4.1.2 电化学阻抗谱特征 | 第52-54页 |
| 4.2 复合膜失效特征 | 第54-56页 |
| 4.3 Ti0_2 薄膜的光响应特性 | 第56-63页 |
| 4.3.1 样品的光吸收 | 第56-57页 |
| 4.3.2 光响应电流特征 | 第57-59页 |
| 4.3.3 光生阴极保护特征 | 第59-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
