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第一性原理研究InSe纳米管和In4Se3-x单晶的结构、电子结构和热电性质

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 引言第11-27页
   ·热电现象的三个基本效应第12-15页
     ·塞贝克效应(Seebeck effect)第12-13页
     ·帕尔帖效应(Peltie effect)第13-14页
     ·汤姆逊效应(Thomson effect)第14页
     ·Kelvin 关系式第14-15页
   ·热电材料基本参数表达式第15-16页
     ·塞贝克系数第15页
     ·载流子浓度第15-16页
     ·有效质量第16页
     ·热导率与维德曼-弗兰茨(Wiedemann-Franz)定律第16页
   ·热电材料中的散射机制第16-18页
     ·载流子散射机制第16-17页
     ·声子散射机制第17-18页
     ·曵引效应第18页
   ·热电材料的研究进展第18-19页
   ·新型热电材料第19-22页
     ·电子晶体-声子玻璃热电材料第19-20页
     ·准晶材料第20页
     ·低维热电材料第20-21页
     ·纳米热电材料第21页
     ·超晶格热电材料第21-22页
   ·论文选题的目的和研究内容第22-23页
 参考文献第23-27页
第二章 计算方法第27-35页
   ·对多粒子系统的薛定谔方程的近似第27-29页
     ·非相对论近似(Non-relativistic approximation)第28页
     ·玻恩-奥本海默近似(Born-Oppenheimer approximation)第28页
     ·单电子近似第28-29页
   ·密度泛函理论(DFT)第29页
   ·交换关联泛函(Correlation exchange functional)第29-31页
     ·局域密度近似泛函(Local Density Approximation, LDA)第29-30页
     ·广义梯度近似泛函(Generalized Gradient Approximation,GGA)第30页
     ·轨道泛函 LDA (GGA) + U第30-31页
     ·杂化密度泛函(Hydrid Density Functional)第31页
   ·线性缀加平面波方法(LAPW)第31-32页
     ·线性缀加平面波方法(LAPW)第31-32页
   ·本文采用的密度泛函理论计算软件第32-33页
     ·VASP(Vienna Ab- initio Simulation Package)第32页
     ·WIEN2k第32页
     ·BoltzTraP第32-33页
 参考文献第33-35页
第三章 InSe 纳米管结构、电子结构和热电特性第35-51页
   ·研究背景第35-36页
   ·计算方法第36-37页
   ·结果和讨论第37-45页
   ·本章小结第45-47页
 参考文献第47-51页
第四章 In_4Se_(3-x)(x=0,0.25,0.5,0.75)化合物的热电性质和电子结构第51-69页
   ·研究背景第51-52页
   ·计算方法第52页
   ·结果与讨论第52-58页
     ·晶体结构第52-53页
     ·塞贝克系数第53-58页
   ·电子结构第58-64页
     ·态密度第58-61页
     ·能带第61-64页
   ·本章小结第64-66页
 参考文献第66-69页
攻读硕士期间发表的学术论文目录第69-71页
致谢第71-72页

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