摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
目录 | 第7-9页 |
CONTENTS | 第9-11页 |
第一章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 光子晶体概述 | 第12-18页 |
1.2.1 光子晶体的带隙理论 | 第13-15页 |
1.2.2 光子晶体的制备 | 第15页 |
1.2.3 光子晶体的应用 | 第15-18页 |
1.2.3.1 光子晶体LED | 第16页 |
1.2.3.2 光子晶体慢光波导 | 第16页 |
1.2.3.3 平板二维光子晶体激光器 | 第16-17页 |
1.2.3.4 光子晶体天线 | 第17页 |
1.2.3.5 光子晶体光纤 | 第17-18页 |
1.3 光子晶体点缺陷的国内外研究现状 | 第18-19页 |
1.3.1 光子晶体点缺陷的国外研究现状 | 第18-19页 |
1.3.2 光子晶体点缺陷的国内研究现状 | 第19页 |
1.4 本论文的主要内容 | 第19-21页 |
第二章 光子晶体的数值计算理论与方法 | 第21-32页 |
2.1 引言 | 第21页 |
2.2 平面波展开法 | 第21-25页 |
2.2.1 光子晶体本征值方程 | 第22-23页 |
2.2.2 布洛赫定理 | 第23-25页 |
2.3 二维正方晶格光子晶体 | 第25-27页 |
2.4 光子晶体的超元胞理论 | 第27-31页 |
2.4.1 一种形状单胞的结构函数 | 第28-29页 |
2.4.2 5×5超元胞的傅立叶系数分析 | 第29-31页 |
2.5 本章小节 | 第31-32页 |
第三章 一种调制二维正方晶格光子晶体缺陷模频率的方法 | 第32-46页 |
3.1 引言 | 第32-33页 |
3.2 计算模型 | 第33-34页 |
3.3 结果分析 | 第34-45页 |
3.3.1 缺陷散射体固定在某一位置时,缺陷带频率随r_d的变化情况 | 第34-36页 |
3.3.2 不同半径的缺陷散射体位置的改变对能带的影响 | 第36-45页 |
3.3.2.1 缺陷散射体半径r_d=0.18a时,其位置的改变对能带的影响 | 第36-39页 |
3.3.2.2 缺陷散射体半径r_d=0.10a时,其位置的改变对能带的影响 | 第39-40页 |
3.3.2.3 缺陷散射体半径r_d=0.30a时,其位置的改变对能带的影响 | 第40-43页 |
3.3.2.4 缺陷散射体半径r_d=0.30a时,缺陷模的电场分布情况 | 第43-45页 |
3.4 本章小结 | 第45-46页 |
第四章 基元配置对二维正方晶格光子晶体的影响 | 第46-56页 |
4.1 引言 | 第46-47页 |
4.2 模型与计算方法 | 第47-48页 |
4.2.1 模型 | 第47-48页 |
4.2.2 计算方法 | 第48页 |
4.3 结果分析 | 第48-55页 |
4.4 本章小结 | 第55-56页 |
结论 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-64页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第64-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
附录 | 第67-75页 |