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二维正方晶格光子晶体缺陷模频率调制的研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第7-9页
CONTENTS第9-11页
第一章 绪论第11-21页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 光子晶体概述第12-18页
        1.2.1 光子晶体的带隙理论第13-15页
        1.2.2 光子晶体的制备第15页
        1.2.3 光子晶体的应用第15-18页
            1.2.3.1 光子晶体LED第16页
            1.2.3.2 光子晶体慢光波导第16页
            1.2.3.3 平板二维光子晶体激光器第16-17页
            1.2.3.4 光子晶体天线第17页
            1.2.3.5 光子晶体光纤第17-18页
    1.3 光子晶体点缺陷的国内外研究现状第18-19页
        1.3.1 光子晶体点缺陷的国外研究现状第18-19页
        1.3.2 光子晶体点缺陷的国内研究现状第19页
    1.4 本论文的主要内容第19-21页
第二章 光子晶体的数值计算理论与方法第21-32页
    2.1 引言第21页
    2.2 平面波展开法第21-25页
        2.2.1 光子晶体本征值方程第22-23页
        2.2.2 布洛赫定理第23-25页
    2.3 二维正方晶格光子晶体第25-27页
    2.4 光子晶体的超元胞理论第27-31页
        2.4.1 一种形状单胞的结构函数第28-29页
        2.4.2 5×5超元胞的傅立叶系数分析第29-31页
    2.5 本章小节第31-32页
第三章 一种调制二维正方晶格光子晶体缺陷模频率的方法第32-46页
    3.1 引言第32-33页
    3.2 计算模型第33-34页
    3.3 结果分析第34-45页
        3.3.1 缺陷散射体固定在某一位置时,缺陷带频率随r_d的变化情况第34-36页
        3.3.2 不同半径的缺陷散射体位置的改变对能带的影响第36-45页
            3.3.2.1 缺陷散射体半径r_d=0.18a时,其位置的改变对能带的影响第36-39页
            3.3.2.2 缺陷散射体半径r_d=0.10a时,其位置的改变对能带的影响第39-40页
            3.3.2.3 缺陷散射体半径r_d=0.30a时,其位置的改变对能带的影响第40-43页
            3.3.2.4 缺陷散射体半径r_d=0.30a时,缺陷模的电场分布情况第43-45页
    3.4 本章小结第45-46页
第四章 基元配置对二维正方晶格光子晶体的影响第46-56页
    4.1 引言第46-47页
    4.2 模型与计算方法第47-48页
        4.2.1 模型第47-48页
        4.2.2 计算方法第48页
    4.3 结果分析第48-55页
    4.4 本章小结第55-56页
结论第56-57页
参考文献第57-64页
攻读学位期间发表的论文第64-66页
致谢第66-67页
附录第67-75页

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