512Kbit反熔丝OTP存储器设计及实现技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第12-15页 |
| 1.3 论文结构与主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 反熔丝OTP存储单元 | 第17-23页 |
| 2.1 反熔丝击穿机理 | 第17-18页 |
| 2.2 反熔丝存储单元设计 | 第18-22页 |
| 2.2.1 1T1C单元结构 | 第18-20页 |
| 2.2.2 反熔丝单元仿真模型 | 第20-21页 |
| 2.2.3 反熔丝单元仿真 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 存储器电路设计以及仿真验证 | 第23-47页 |
| 3.1 整体电路结构设计 | 第23-24页 |
| 3.2 存储器ESD防护设计 | 第24-28页 |
| 3.2.1 ESD模型及常用防护器件 | 第24-25页 |
| 3.2.2 OTP存储器ESD保护方案 | 第25-28页 |
| 3.3 存储阵列及冗余测试电路设计 | 第28-33页 |
| 3.3.1 存储阵列及译码结构 | 第29-31页 |
| 3.3.2 冗余测试电路设计及仿真 | 第31-33页 |
| 3.4 存储器编程电路设计 | 第33-38页 |
| 3.4.1 电荷泵振荡信号产生电路 | 第33-34页 |
| 3.4.2 电荷泵电路设计 | 第34-38页 |
| 3.5 存储器读出电路 | 第38-42页 |
| 3.5.1 灵敏放大器设计 | 第38-41页 |
| 3.5.2 锁存器设计 | 第41-42页 |
| 3.6 OTP存储器全电路仿真 | 第42-45页 |
| 3.6.1 基于AMS的全电路功能验证 | 第43-45页 |
| 3.6.2 基于Finesim的全电路模拟仿真 | 第45页 |
| 3.7 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 存储器物理实现 | 第47-55页 |
| 4.1 版图设计 | 第47-52页 |
| 4.1.1 版图布局布线 | 第47-49页 |
| 4.1.2 版图抗辐照加固 | 第49-52页 |
| 4.2 版图验证 | 第52页 |
| 4.3 后仿真验证 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 存储器芯片测试 | 第55-62页 |
| 5.1 测试系统 | 第56-58页 |
| 5.2 芯片功能测试 | 第58-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第66-67页 |
