| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 TIN基涂层的发展与现状 | 第15-18页 |
| 1.2.1 多元涂层 | 第16页 |
| 1.2.2 多层涂层 | 第16-17页 |
| 1.2.3 纳米复合涂层 | 第17-18页 |
| 1.3 AlTiN涂层的制备 | 第18-23页 |
| 1.3.1 CVD | 第18-19页 |
| 1.3.2 电弧离子镀技术 | 第19-21页 |
| 1.3.3 磁控溅射技术 | 第21-23页 |
| 1.4 制备刀具涂层的电弧靶材的发展与现状 | 第23-25页 |
| 1.5 课题来源与主要研究内容 | 第25-27页 |
| 1.5.1 课题来源 | 第25页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 涂层的制备和分析方法 | 第27-35页 |
| 2.1 研究路线 | 第27-28页 |
| 2.2 PVD涂层设备 | 第28-30页 |
| 2.3 涂层的沉积 | 第30-31页 |
| 2.3.1 基片的准备和清洗 | 第30-31页 |
| 2.3.2 涂层的轰击和制备 | 第31页 |
| 2.4 涂层组织结构检测 | 第31-32页 |
| 2.4.1 SEM | 第31-32页 |
| 2.4.2 EDS | 第32页 |
| 2.4.3 XRD | 第32页 |
| 2.5 力学性能测试 | 第32-35页 |
| 2.5.1 显微硬度 | 第32-33页 |
| 2.5.2 结合力 | 第33-34页 |
| 2.5.3 高温摩擦磨损 | 第34页 |
| 2.5.4 真空退火实验 | 第34-35页 |
| 第三章 电弧离子镀沉积AlTiN涂层工艺研究 | 第35-54页 |
| 3.1 靶电流工艺参数对涂层的影响 | 第35-41页 |
| 3.1.1 涂层的制备 | 第35-37页 |
| 3.1.2 物相结构 | 第37-39页 |
| 3.1.3 涂层表面质量 | 第39-40页 |
| 3.1.4 涂层力学性能 | 第40-41页 |
| 3.2 沉积气压工艺参数对涂层的影响 | 第41-48页 |
| 3.2.1 涂层的制备 | 第41-44页 |
| 3.2.2 物相结构 | 第44-45页 |
| 3.2.3 涂层表面质量 | 第45-47页 |
| 3.2.4 涂层力学性能 | 第47-48页 |
| 3.3 基体偏压工艺参数对涂层的影响 | 第48-53页 |
| 3.3.1 涂层的制备 | 第48-49页 |
| 3.3.2 物相结构 | 第49-51页 |
| 3.3.3 涂层表面质量 | 第51-52页 |
| 3.3.4 涂层力学性能 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 AT&M和GfE AlTi合金靶材在不同电磁场电压下制备AlTiN涂层的对比 | 第54-86页 |
| 4.1 AT&M和GfE AlTi合金靶材的靶材参数 | 第54-58页 |
| 4.1.1 靶材金相结构 | 第55-57页 |
| 4.1.2 物相组织 | 第57-58页 |
| 4.1.3 热导率 | 第58页 |
| 4.2 AT&M和GfE AlTi合金靶材在不同电磁场下沉积AlTiN涂层的对比 | 第58-82页 |
| 4.2.1 涂层的制备 | 第58-64页 |
| 4.2.2 物相结构 | 第64-68页 |
| 4.2.3 表面质量 | 第68-70页 |
| 4.2.4 力学性能 | 第70-73页 |
| 4.2.5 真空退火 | 第73-76页 |
| 4.2.6 摩擦磨损 | 第76-82页 |
| 4.3 靶材烧蚀后分析 | 第82-85页 |
| 4.3.1 表现形貌与元素分布 | 第82-84页 |
| 4.3.2 表面成分分析 | 第84-85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 不同Ti颗粒尺寸的AT&M AlTi合金靶材制备AlTiN涂层的对比 | 第86-107页 |
| 5.1 不同Ti颗粒尺寸的AlTi合金靶材制备AlTiN涂层的对比 | 第86-106页 |
| 5.1.1 涂层的制备 | 第86-88页 |
| 5.1.2 物相分析 | 第88-89页 |
| 5.1.3 表面质量 | 第89-91页 |
| 5.1.4 力学性能 | 第91-92页 |
| 5.1.5 真空退火 | 第92-97页 |
| 5.1.6 摩擦磨损 | 第97-106页 |
| 5.2 本章小结 | 第106-107页 |
| 总结与展望 | 第107-110页 |
| 参考文献 | 第110-116页 |
| 攻读学位期间发表的论文及申请的专利 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
