中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第10-25页 |
1.1 物质磁性的分类 | 第10-13页 |
1.1.1 抗磁性物质 | 第11-12页 |
1.1.2 顺磁性物质 | 第12页 |
1.1.3 铁磁性物质 | 第12页 |
1.1.4 反铁磁性物质 | 第12页 |
1.1.5 亚铁磁性物质 | 第12-13页 |
1.2 磁光效应 | 第13-15页 |
1.2.1 法拉第效应(Faraday effect) | 第13-14页 |
1.2.2 克尔效应(Kerr effect) | 第14-15页 |
1.2.3 塞曼效应(Zeeman effect) | 第15页 |
1.2.4 磁致双折射效应 | 第15页 |
1.3 磁光材料 | 第15-16页 |
1.3.1 磁光晶体 | 第15-16页 |
1.3.2 磁光玻璃 | 第16页 |
1.3.3 磁光薄膜 | 第16页 |
1.3.4 稀磁半导体 | 第16页 |
1.4 磁光器件 | 第16-19页 |
1.4.1 磁光隔离器 | 第17页 |
1.4.2 磁光电流传感器 | 第17-18页 |
1.4.3 磁光调制器 | 第18页 |
1.4.4 磁光记录与存储 | 第18-19页 |
1.5 选题依据与主要思路 | 第19-23页 |
1.5.1 选题依据 | 第19-21页 |
1.5.2 LnPO_4体系的介绍 | 第21-22页 |
1.5.3 Sr_2Ln_8(SiO_4)_6O_2体系的介绍 | 第22-23页 |
1.6 项目来源与研究内容 | 第23-25页 |
1.6.1 项目来源 | 第23页 |
1.6.2 主要研究内容 | 第23-25页 |
1.6.2.1 TbPO_4晶体的生长与性能表征 | 第23-24页 |
1.6.2.2 Sr_2Dy_8(SiO_4)_6O_2晶体的生长与性能表征 | 第24-25页 |
第二章 实验试剂及测试仪器简介 | 第25-38页 |
2.1 主要实验试剂 | 第25页 |
2.2 本论文所使用测试仪器及原理 | 第25-38页 |
2.2.1 X射线粉末衍射仪(XRD) | 第26-28页 |
2.2.2 红外光谱仪(FTIR) | 第28-29页 |
2.2.3 UV/VIS/NIR光谱仪 | 第29-30页 |
2.2.4 同步热分析仪(DSC-TGA) | 第30-32页 |
2.2.5 硬度测量仪 | 第32-33页 |
2.2.6 扫描电子显微镜-X射线能谱分析联用仪(SEM-EDS) | 第33-34页 |
2.2.7 综合物性测量系统(PPMS) | 第34-35页 |
2.2.8 法拉第旋转角测量仪 | 第35-36页 |
2.2.9 热膨胀分析仪 | 第36-38页 |
第三章 TbPO_4晶体的生长与性能研究 | 第38-64页 |
3.1 TbPO_4多晶原料的合成 | 第38-40页 |
3.1.1 高温固相法合成 | 第38-39页 |
3.1.1.1 差示扫描量热(DSC)与热重(TGA)分析 | 第38-39页 |
3.1.1.2 烧结工艺的确定 | 第39页 |
3.1.2 液相沉淀法合成 | 第39-40页 |
3.2 多晶粉末的测试与表征 | 第40-46页 |
3.2.1 XRD表征 | 第40-42页 |
3.2.2 红外光谱分析 | 第42-43页 |
3.2.3 能谱(EDS)分析 | 第43-44页 |
3.2.4 漫反射分析 | 第44-45页 |
3.2.5 变温磁化率 | 第45-46页 |
3.3 TbPO_4晶体生长研究 | 第46-53页 |
3.3.1 熔盐法简介 | 第46-47页 |
3.3.2 影响晶体生长的其它因素 | 第47页 |
3.3.2.1 温场的影响 | 第47页 |
3.3.2.2 化料温度及时间的影响 | 第47页 |
3.3.2.3 籽晶对于晶体生长的影响 | 第47页 |
3.3.2.4 生长速度的影响 | 第47页 |
3.3.3 晶体生长装置 | 第47-48页 |
3.3.4 助熔剂体系的筛选 | 第48-50页 |
3.3.5 助熔剂NaPO_3-Na_2Mo_2O_7 | 第50-52页 |
3.3.6 助熔剂Li_2W_2O_7 | 第52-53页 |
3.4 晶体的光谱性质与磁光性能 | 第53-59页 |
3.4.1 透射光谱表征 | 第53-54页 |
3.4.2 晶体荧光分析 | 第54-57页 |
3.4.3 拉曼光谱分析 | 第57-58页 |
3.4.4 法拉第旋转角与Verdet常数 | 第58-59页 |
3.4.4.1 法拉第旋转角 | 第58-59页 |
3.4.4.2 费尔德常数的计算 | 第59页 |
3.5 晶体生长习性分析 | 第59-62页 |
3.6 小结 | 第62-64页 |
第四章 Sr_2Dy_8(SiO_4)_6O_2晶体生长与性能研究 | 第64-85页 |
4.1 提拉法简介 | 第64页 |
4.2 影响晶体生长的因素 | 第64-67页 |
4.2.1 生长装置 | 第64-66页 |
4.2.1.1 加热装置 | 第65页 |
4.2.1.2 坩埚 | 第65页 |
4.2.1.3 保温绝热材料 | 第65-66页 |
4.2.1.4 籽晶 | 第66页 |
4.2.2 生长条件 | 第66-67页 |
4.2.2.1 温度梯度 | 第66页 |
4.2.2.2 提拉速度 | 第66页 |
4.2.2.3 晶杆转速 | 第66-67页 |
4.3 多晶原料合成 | 第67-68页 |
4.3.1 烧结工艺的确定 | 第67-68页 |
4.3.2 高温固相合成法 | 第68页 |
4.3.2.1 反应方程式 | 第68页 |
4.3.2.2 实验步骤 | 第68页 |
4.4 多晶原料的表征 | 第68-71页 |
4.4.1 XRD测试 | 第68-69页 |
4.4.2 红外光谱分析 | 第69-70页 |
4.4.3 漫反射分析 | 第70-71页 |
4.5 Sr_2Dy_8(SiO_4)_6O_2提拉法晶体生长 | 第71-73页 |
4.5.1 实验步骤 | 第71-72页 |
4.5.2 生长参数 | 第72页 |
4.5.3 晶体照片 | 第72-73页 |
4.6 晶体物相分析 | 第73-74页 |
4.7 Rietveld法结构精修 | 第74-76页 |
4.8 晶体均匀性分析 | 第76-77页 |
4.9 晶体理化性能 | 第77-79页 |
4.9.1 密度 | 第77-78页 |
4.9.2 硬度 | 第78页 |
4.9.3 热膨胀 | 第78-79页 |
4.10 晶体磁光性能表征 | 第79-83页 |
4.10.1 透射光谱 | 第79-80页 |
4.10.2 变温磁化率 | 第80-81页 |
4.10.3 法拉第旋转角与Verdet常数 | 第81-83页 |
4.11 小结 | 第83-85页 |
结论 | 第85-87页 |
展望 | 第87-88页 |
参考文献 | 第88-96页 |
致谢 | 第96-97页 |
个人简历 | 第97页 |