| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-40页 |
| 1.1 研究背景及目的意义 | 第12-14页 |
| 1.2 气体传感器概况 | 第14-17页 |
| 1.2.1 气体传感器国内外发展现状 | 第14-15页 |
| 1.2.2 气体传感器的定义和分类 | 第15-17页 |
| 1.3 金属氧化物半导体(MOS)气体传感器概况 | 第17-33页 |
| 1.3.1 MOS气体传感器的分类 | 第17-18页 |
| 1.3.2 MOS气体传感器的主要特征 | 第18-20页 |
| 1.3.3 影响MOS气体传感器性能的因素 | 第20-22页 |
| 1.3.4 常见的MOS气体传感器材料 | 第22-32页 |
| 1.3.5 MOS气体传感器发展趋势 | 第32-33页 |
| 1.4 MOS气敏传感器机理和测试方法 | 第33-37页 |
| 1.4.1 MOS气敏传感器原理 | 第33-34页 |
| 1.4.2 MOS气敏传感器结构 | 第34-35页 |
| 1.4.3 MOS气敏传感器测试 | 第35-37页 |
| 1.5 本文的选题思想及主要研究内容 | 第37-40页 |
| 1.5.1 选题思路 | 第37-38页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第38-40页 |
| 第2章 V_2O_5/α-Fe_2O_3纳米纤维气敏传感器的制备与研究 | 第40-51页 |
| 2.1 引言 | 第40-41页 |
| 2.2 V_2O_5/α-Fe_2O_3纳米纤维气敏元件的制备 | 第41页 |
| 2.2.1 气敏材料的制备 | 第41页 |
| 2.2.2 气敏元器件的制作 | 第41页 |
| 2.3 元器件材料的形貌及结构表征分析 | 第41-44页 |
| 2.3.1 气敏材料的表征仪器 | 第42页 |
| 2.3.2 气敏材料的表征分析 | 第42-44页 |
| 2.4 元器件材料的气敏性能测试分析 | 第44-48页 |
| 2.4.1 气敏测试系统 | 第44页 |
| 2.4.2 元器件的最佳工作温度 | 第44-45页 |
| 2.4.3 元器件的响应恢复时间 | 第45页 |
| 2.4.4 元器件的灵敏度与气体浓度 | 第45-47页 |
| 2.4.5 元器件的重复性 | 第47页 |
| 2.4.6 元器件的选择性 | 第47页 |
| 2.4.7 元器件的稳定性 | 第47-48页 |
| 2.5 反应机理分析 | 第48-49页 |
| 2.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第3章 SnO_2-Co_3O_4中空纳米立方体气敏传感器的制备与研究 | 第51-65页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 SnO_2-Co_3O_4中空立方体气敏元件的制备 | 第52页 |
| 3.2.1 气敏材料的制备 | 第52页 |
| 3.2.2 气敏元件的制作 | 第52页 |
| 3.3 元件材料的形貌及结构表征分析 | 第52-57页 |
| 3.3.1 气敏材料的表征仪器 | 第53页 |
| 3.3.2 气敏材料的表征分析 | 第53-56页 |
| 3.3.3 气敏元件材料的合成过程 | 第56-57页 |
| 3.4 元器件材料的气敏性能测试分析 | 第57-61页 |
| 3.4.1 气敏测试系统 | 第57页 |
| 3.4.2 元器件的最佳工作温度 | 第57-58页 |
| 3.4.3 元器件的响应恢复时间 | 第58页 |
| 3.4.4 元器件的灵敏度与气体浓度的关系 | 第58-60页 |
| 3.4.5 元器件的重复性 | 第60页 |
| 3.4.6 元器件的选择性 | 第60-61页 |
| 3.4.7 元器件的稳定性 | 第61页 |
| 3.5 反应机理分析 | 第61-64页 |
| 3.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 SnO_2-ZnO异质纳米纤维气敏传感器制备与研究 | 第65-75页 |
| 4.1 引言 | 第65页 |
| 4.2 SnO_2-ZnO异质纳米纤维气敏元件制备 | 第65-66页 |
| 4.2.1 SnO_2-ZnO异质纳米纤维制备 | 第66页 |
| 4.2.2 气敏元件的制作 | 第66页 |
| 4.3 元件材料的形貌及结构表征分析 | 第66-68页 |
| 4.3.1 气敏材料的表征仪器 | 第66页 |
| 4.3.2 气敏材料的表征分析 | 第66-68页 |
| 4.4 元器件材料的气敏性能测试分析 | 第68-72页 |
| 4.4.1 气敏测试系统 | 第68页 |
| 4.4.2 元器件的最佳工作温度 | 第68-69页 |
| 4.4.3 元器件的灵敏度与气体浓度的关系 | 第69-70页 |
| 4.4.4 元器件的重复性 | 第70页 |
| 4.4.5 元器件的选择性 | 第70-71页 |
| 4.4.6 元器件的稳定性 | 第71-72页 |
| 4.5 反应机理分析 | 第72-74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 第5章 球状Fe_2(MoO_4)_3微纳米片气敏传感器的制备与研究 | 第75-84页 |
| 5.1 引言 | 第75页 |
| 5.2 球状Fe_2(MoO_4)_3微纳米片气敏元件制备 | 第75-76页 |
| 5.2.1 球状Fe_2(MoO_4)_3微纳米片和Fe_2(MoO_4)_3颗粒的制备 | 第75-76页 |
| 5.2.2 气敏元件的制作 | 第76页 |
| 5.3 元件材料的形貌及结构表征分析 | 第76-79页 |
| 5.3.1 气敏材料的表征仪器 | 第76页 |
| 5.3.2 气敏材料的表征分析 | 第76-79页 |
| 5.4 元器件材料的气敏性能测试分析 | 第79-82页 |
| 5.4.1 气敏测试系统 | 第79页 |
| 5.4.2 元器件的最佳工作温度 | 第79-80页 |
| 5.4.3 元器件灵敏度与气体浓度的关系 | 第80页 |
| 5.4.4 元器件的选择性 | 第80-81页 |
| 5.4.5 元器件的响应恢复时间和重复性 | 第81页 |
| 5.4.6 元器件的稳定性 | 第81-82页 |
| 5.5 反应机理分析 | 第82-83页 |
| 5.6 本章小结 | 第83-84页 |
| 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-100页 |
| 附录(攻读学位期间发表的学术论文情况) | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
