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CuInS2薄膜的制备和光电催化性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第14-26页
    1.1 引言第14-15页
    1.2 光电催化还原CO_2第15-17页
        1.2.1 电催化第15-16页
        1.2.2 光催化第16页
        1.2.3 光电催化还原CO_2第16-17页
    1.3 CO_2光电催化的国内外研究进展第17-20页
        1.3.1 单独采用半导体第18页
        1.3.2 负载或悬浮过渡金属颗粒第18页
        1.3.3 负载或溶解过渡金属配合物第18-20页
    1.4 CuInS_2半导体材料第20-23页
        1.4.1 CuInS_2的基本性质第20-21页
        1.4.2 CuInS_2的制备方法第21-23页
    1.5 CuS和CuO半导体材料第23-24页
        1.5.1 CuS的基本性质第23页
        1.5.2 CuO的基本性质第23-24页
    1.6 本论文的研究内容、意义和创新点第24-26页
        1.6.1 研究内容第24页
        1.6.2 研究意义第24页
        1.6.3 创新点第24-26页
第二章 旋涂法制备CuInS_2薄膜和光电催化还原CO_2第26-36页
    2.1 旋涂法制备CuInS_2薄膜第26-30页
        2.1.1 引言第26-27页
        2.1.2 实验原料和设备第27-28页
        2.1.3 旋涂法制备CuInS_2薄膜第28-29页
        2.1.4 工艺流程图第29-30页
    2.2 光电催化还原CO_2第30-32页
        2.2.1 实验试剂第30页
        2.2.2 实验仪器第30-31页
        2.2.3 实验装置第31页
        2.2.4 CuInS_2薄膜还原电位的选择第31-32页
        2.2.5 光电催化还原CO_2反应第32页
        2.2.6 产物产量分析第32页
    2.3 表征与测试第32-34页
    2.4 本章小结第34-36页
第三章 不同制备条件对薄膜性能的影响第36-50页
    3.1 不同制备条件的总结第36-37页
    3.2 实验结果与讨论第37-48页
        3.2.1 CuInS_2薄膜还原电位的选择第37页
        3.2.2 前驱体溶液浓度的选择第37-38页
        3.2.3 硫粉量对薄膜性能的影响第38-39页
        3.2.4 旋涂转速对甲醇产量的影响第39-40页
        3.2.5 InCl_3的量对甲醇产量的影响第40-41页
        3.2.6 CuCl_2的量对甲醇产量的影响第41-42页
        3.2.7 退火温度对甲醇产量的影响第42-45页
        3.2.8 430℃时,前驱体不同配比对甲醇产量的影响第45-47页
        3.2.9 还原反应时间对甲醇产量的影响第47-48页
    3.3 本章小结第48-50页
第四章 薄膜结构对光电催化性能的影响第50-64页
    4.1 反应时间对薄膜组成和结构的影响第50-54页
        4.1.1 反应前后的X射线衍射图谱分析第50-51页
        4.1.2 反应前后的扫描电子显微镜分析第51-52页
        4.1.3 反应前后的拉曼图谱和X射线光电子能谱分析第52-54页
    4.2 前驱体不同配比对薄膜组成和结构的影响第54-62页
        4.2.1 能量色散谱分析第54页
        4.2.2 扫描电子显微镜分析第54-55页
        4.2.3 反应前的X射线衍射分析第55-56页
        4.2.4 反应前后的拉曼光谱分析第56-57页
        4.2.5 反应前后的X射线光电子能谱分析第57-60页
        4.2.6 荧光光谱图分析第60-62页
    4.3 本章小结第62-64页
第五章 结论与建议第64-66页
    5.1 结论第64页
    5.2 建议第64-66页
参考文献第66-70页
致谢第70-72页
作者及导师简介第72-74页
附件第74-76页

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