短沟道MOSFET高频噪声特性研究

摘要	第4-5页
Abstract	第5-6页
1 绪论	第8-13页
1.1 研究背景	第8-9页
1.2 短沟道MOSFET模型的研究现状	第9-11页
1.3 研究目的和意义	第11-12页
1.4 本论文研究内容及结构	第12-13页
2 MOSFET小信号等效噪声模型的研究	第13-23页
2.1 MOSFET小信号噪声等效电路模型	第13-19页
2.2 MOSFET高频过剩噪声机理的研究	第19-22页
2.3 本章小结	第22-23页
3 短沟道MOSFET高频噪声建模	第23-38页
3.1 漏极电流噪声	第23-29页
3.2 栅极感应噪声	第29-34页
3.3 互相关噪声	第34-36页
3.4 衬底噪声	第36-37页
3.5 本章小结	第37-38页
4 MOSFET高频噪声特性分析及模型验证	第38-62页
4.1 基于二端口四噪声参数的噪声去嵌技术	第38-50页
4.1.1 二端口网络的噪声特性	第38-48页
4.1.2 基于二端口噪声相关矩阵的噪声去嵌步骤	第48-50页
4.2 噪声模型的验证及结果分析	第50-58页
4.3 基于ADS的四噪声参数仿真验证	第58-60页
4.4 本章小结	第60-62页
结论	第62-64页
致谢	第64-65页
参考文献	第65-70页
附录	第70-72页
攻读学位期间发表的学术论文及研究成果	第72页