| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 国外的研究现状和动态 | 第11-13页 |
| 1.2.2 国内的研究现状和动态 | 第13-14页 |
| 1.3 论文研究内容及意义 | 第14页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第14-15页 |
| 第二章 功率放大器设计基础理论 | 第15-31页 |
| 2.1 功率放大器主要性能指标 | 第15-21页 |
| 2.1.1 功率增益 | 第15页 |
| 2.1.2 输出功率 | 第15-16页 |
| 2.1.3 效率 | 第16-17页 |
| 2.1.4 非线性特征 | 第17-21页 |
| 2.2 线性功率放大器 | 第21-26页 |
| 2.3 功率放大器的电路结构 | 第26-29页 |
| 2.3.1 单端结构 | 第26-27页 |
| 2.3.2 差分结构 | 第27-28页 |
| 2.3.3 平衡结构 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 基于SiGe BiCMOS工艺Ku波段线性功率放大器设计 | 第31-61页 |
| 3.1 功率放大器的设计步骤 | 第31-32页 |
| 3.2 IBM SiGe BiCMOS工艺概述 | 第32-35页 |
| 3.2.1 SiGe BiCMOS技术简介 | 第32页 |
| 3.2.2 IBM SiGe BiCMOS 8HP工艺简介 | 第32-34页 |
| 3.2.3 功率放大器设计需要考虑的问题 | 第34-35页 |
| 3.3 SiGe BiCMOS工艺Ku波段线性功率放大器电路设计 | 第35-51页 |
| 3.3.1 电路整体结构框图 | 第35页 |
| 3.3.2 有源器件选择选择以及功率级电路结构选择 | 第35-37页 |
| 3.3.3 TSV2简介 | 第37-38页 |
| 3.3.4 偏置网络设计 | 第38-40页 |
| 3.3.5 温度补偿网络 | 第40-41页 |
| 3.3.6 稳定性网络设计 | 第41-44页 |
| 3.3.7 匹配网络设计 | 第44-50页 |
| 3.3.8 最终电路结构 | 第50-51页 |
| 3.4 前仿真结果和分析 | 第51-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 版图设计和联合仿真 | 第61-75页 |
| 4.1 版图设计的注意事项 | 第61-63页 |
| 4.1.1 互连线的考虑 | 第61页 |
| 4.1.2 ADS中Momentum仿真简介 | 第61-62页 |
| 4.1.3 保护环设计 | 第62页 |
| 4.1.4 ESD保护电路 | 第62-63页 |
| 4.2 版图的设计 | 第63-64页 |
| 4.3 联合仿真结果 | 第64-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 Ku波段功率放大器测试方案 | 第75-79页 |
| 5.1 PCB设计 | 第75页 |
| 5.2 测试环境 | 第75-76页 |
| 5.3 功率放大器测试方案 | 第76-79页 |
| 5.3.1 直流(DC)测试 | 第77页 |
| 5.3.2 S参数测试 | 第77页 |
| 5.3.3 输出功率测试 | 第77-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 总结 | 第79页 |
| 6.2 展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
