| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 半导体材料 | 第10-11页 |
| 1.3 纳米材料 | 第11-12页 |
| 1.4 ZnO的性质及制备 | 第12-17页 |
| 1.4.1 ZnO的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.4.2 ZnO的光学性质 | 第14页 |
| 1.4.3 ZnO纳米线的制备 | 第14-17页 |
| 1.5 纳米ZnO研究现状 | 第17-18页 |
| 1.6 研究目的与内容 | 第18-19页 |
| 第2章 材料、设备与试验方法 | 第19-25页 |
| 2.1 试验材料 | 第19页 |
| 2.2 试验设备与试验参数 | 第19-20页 |
| 2.3 ZnO纳米阵列的制备方法 | 第20-23页 |
| 2.3.1 未经过H~+掺杂的ZnO纳米阵列 | 第20-22页 |
| 2.3.2 H~+掺杂的ZnO纳米阵列 | 第22-23页 |
| 2.4 分析测试方法 | 第23-25页 |
| 2.4.1 扫描电镜（SEM）分析 | 第23-24页 |
| 2.4.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第24页 |
| 2.4.3 光谱透过率的测定 | 第24页 |
| 2.4.4 光致发光分析 | 第24页 |
| 2.4.5 差示扫描量热法（DSC） | 第24-25页 |
| 第3章 纳米ZnO阵列生长工艺研究 | 第25-39页 |
| 3.1 ZnO阵列的生长工艺 | 第25-26页 |
| 3.2 ZnO薄膜的热分析 | 第26-27页 |
| 3.3 工艺参数对ZnO纳米线阵列形貌的影响 | 第27-35页 |
| 3.3.1 溶胶浓度的影响 | 第27-31页 |
| 3.3.2 生长液浓度的影响 | 第31-35页 |
| 3.4 ZnO种子层和纳米线阵列的光谱透过率分析 | 第35-36页 |
| 3.5 ZnO纳米线阵列的XRD分析 | 第36-37页 |
| 3.6 ZnO纳米线阵列的PL分析 | 第37页 |
| 3.7 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 H~+掺杂对ZnO纳米线的改性 | 第39-60页 |
| 4.1 H~+入射深度的SRIM模拟 | 第39-41页 |
| 4.2 H~+掺杂对纳米ZnO形貌的影响 | 第41-50页 |
| 4.2.1 ZnO种子层H~+掺杂前后形貌 | 第41-42页 |
| 4.2.2 ZnO种子层经过H~+掺杂之后再次生长后的形貌 | 第42-45页 |
| 4.2.3 H~+掺杂对纳米ZnO阵列初始形貌的影响 | 第45-47页 |
| 4.2.4 纳米ZnO阵列经过H~+掺杂之后再次生长后的形貌 | 第47-50页 |
| 4.3 H~+掺杂对ZnO光学性能的影响 | 第50-53页 |
| 4.3.1 ZnO种子层经过H~+掺杂后透过率的变化 | 第50页 |
| 4.3.2 ZnO种子层经过H~+掺杂后生长阵列透过率的变化 | 第50-51页 |
| 4.3.3 ZnO纳米线阵列H~+掺杂后透过率的分析 | 第51-52页 |
| 4.3.4 ZnO阵列H~+掺杂后二次生长的透过率分析 | 第52-53页 |
| 4.4 H~+掺杂对ZnO结构和成分的影响 | 第53-56页 |
| 4.4.1 ZnO种子经过H~+掺杂后生长阵列X射线衍射 | 第53-54页 |
| 4.4.2 ZnO纳米阵列经过H~+掺杂后X射线衍射 | 第54-55页 |
| 4.4.3 ZnO阵列经过H~+掺杂后生长阵列X射线衍射 | 第55-56页 |
| 4.5 H~+掺杂对ZnO缺陷的影响 | 第56-59页 |
| 4.5.1 ZnO种子经过H~+掺杂后生长阵列光致发光谱 | 第56-57页 |
| 4.5.2 ZnO纳米线阵列H~+掺杂后光致发光谱 | 第57-58页 |
| 4.5.3 ZnO阵列经过H~+掺杂后生长阵列光致发光谱 | 第58-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
