第一章 双光子响应技术综述 | 第9-32页 |
1.1 引言 | 第9-11页 |
1.2 双光子响应技术的产生、发展和应用进展 | 第11-16页 |
1.2.1 双光子技术的产生和发展 | 第11-12页 |
1.2.2 双光子技术的应用进展 | 第12-16页 |
1.3 电场诱导的二阶非线性光学效应 | 第16-18页 |
1.4 双光子响应技术用于自相关测量的产生与发展 | 第18-20页 |
1.5 本论文的主要工作 | 第20-21页 |
参考文献 | 第21-32页 |
第二章 倍频吸收、光整流和场致二阶非线性极化的基本理论 | 第32-51页 |
2.1 引言 | 第32-33页 |
2.2 二阶非线性电极化—和频、差频效应 | 第33-38页 |
2.2.1 二阶非线性电极化 | 第33-34页 |
2.2.2 和频、差频、光整流和倍频 | 第34-37页 |
2.2.3 光整流和二次谐波 | 第37-38页 |
2.3 三阶非线性电极化—和频、差频效应 | 第38-44页 |
2.3.1 当入射光为频率ω_1和ω_2光合成时 | 第38-41页 |
2.3.2 对一具有反演对称中心的晶体 | 第41-44页 |
2.4 硅器件场致等效二阶极化率张量 | 第44-49页 |
2.4.1 等效二阶极化率张量 | 第45页 |
2.4.2 直流电场沿[001]晶向时硅材料的对称性 | 第45-47页 |
2.4.3 直流电场沿[011]晶向时硅材料的对称性 | 第47-49页 |
2.5 小结 | 第49页 |
参考文献 | 第49-51页 |
第三章 硅中电场诱导的光整流的产生 | 第51-67页 |
3.1 光整流效应的产生发展和应用 | 第51-53页 |
3.2 光整流的基本理论 | 第53-56页 |
3.2.1 平行板电容器模型 | 第53-54页 |
3.2.2 振荡干涉模型 | 第54-56页 |
3.3 硅中电场诱导的光整流效应 | 第56-59页 |
3.4 硅中电场诱导的光整流产生的探测 | 第59-63页 |
3.4.1 测量系统及原理 | 第59-60页 |
3.4.2 测量结果及讨论 | 第60-63页 |
3.5 小结 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-67页 |
第四章 硅光电二极管双光子响应的实验研究 | 第67-82页 |
4.1 引言 | 第67页 |
4.2 双光子响应的定义 | 第67-70页 |
4.2.1 双光子吸收 | 第68页 |
4.2.2 倍频效应(二次谐波产生) | 第68-70页 |
4.2.2—1 倍频效应产生的原因 | 第68-69页 |
4.2.2—2 相位匹配 | 第69-70页 |
4.3 双光子吸收的实验验证 | 第70-71页 |
4.4 双光子吸收理论 | 第71-76页 |
4.4.1 唯象的描述 | 第71-72页 |
4.4.2 双光子吸收的宏观理论 | 第72-76页 |
4.5 硅光电二极管中双光子响应的研究 | 第76-79页 |
4.5.1 测量系统 | 第76-77页 |
4.5.2 测量结果及讨论 | 第77-79页 |
4.6 小结 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-82页 |
第五章 MSM结构器件的倍频吸收 | 第82-98页 |
5.1 光倍频原理 | 第82-85页 |
5.2 MSM结构硅样品的倍频吸收 | 第85-92页 |
5.2.1 空间电荷限制电流的基本原理 | 第86-88页 |
5.2.2 硅MSM结构样品的双光子响应 | 第88-89页 |
5.2.3 样品的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第89页 |
5.2.4 光电信号与外加偏压的关系 | 第89-91页 |
5.2.5 光电流与红外入射光位置的关系 | 第91-92页 |
5.3 Al/Si肖特基势垒处电场诱导的倍频吸收 | 第92-96页 |
5.4 小结 | 第96-97页 |
参考文献 | 第97-98页 |
第六章 半球型GaAs二次谐波产生的各向异性 | 第98-111页 |
6.1 引言 | 第98-99页 |
6.2 半球型固浸透镜技术的研究发展及应用 | 第99-100页 |
6.3 半球型固浸透镜的基本原理 | 第100-101页 |
6.4 半球型GaAs(001)底面中心处SHG的探测 | 第101-107页 |
6.4.1 测量系统及原理 | 第101-102页 |
6.4.2 由于表面电场的存在所引起的二阶极化率 | 第102-104页 |
6.4.3 结果分析 | 第104-107页 |
6.5 小结 | 第107页 |
参考文献 | 第107-111页 |
结束语 | 第111-113页 |
博士论文期间发表的论文 | 第113-115页 |
中文详细摘要 | 第115-118页 |
ABSTRACT | 第118页 |
致谢 | 第122页 |