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场致倍频吸收在双光子响应中的作用

第一章 双光子响应技术综述第9-32页
    1.1 引言第9-11页
    1.2 双光子响应技术的产生、发展和应用进展第11-16页
        1.2.1 双光子技术的产生和发展第11-12页
        1.2.2 双光子技术的应用进展第12-16页
    1.3 电场诱导的二阶非线性光学效应第16-18页
    1.4 双光子响应技术用于自相关测量的产生与发展第18-20页
    1.5 本论文的主要工作第20-21页
    参考文献第21-32页
第二章 倍频吸收、光整流和场致二阶非线性极化的基本理论第32-51页
    2.1 引言第32-33页
    2.2 二阶非线性电极化—和频、差频效应第33-38页
        2.2.1 二阶非线性电极化第33-34页
        2.2.2 和频、差频、光整流和倍频第34-37页
        2.2.3 光整流和二次谐波第37-38页
    2.3 三阶非线性电极化—和频、差频效应第38-44页
        2.3.1 当入射光为频率ω_1和ω_2光合成时第38-41页
        2.3.2 对一具有反演对称中心的晶体第41-44页
    2.4 硅器件场致等效二阶极化率张量第44-49页
        2.4.1 等效二阶极化率张量第45页
        2.4.2 直流电场沿[001]晶向时硅材料的对称性第45-47页
        2.4.3 直流电场沿[011]晶向时硅材料的对称性第47-49页
    2.5 小结第49页
    参考文献第49-51页
第三章 硅中电场诱导的光整流的产生第51-67页
    3.1 光整流效应的产生发展和应用第51-53页
    3.2 光整流的基本理论第53-56页
        3.2.1 平行板电容器模型第53-54页
        3.2.2 振荡干涉模型第54-56页
    3.3 硅中电场诱导的光整流效应第56-59页
    3.4 硅中电场诱导的光整流产生的探测第59-63页
        3.4.1 测量系统及原理第59-60页
        3.4.2 测量结果及讨论第60-63页
    3.5 小结第63-64页
    参考文献第64-67页
第四章 硅光电二极管双光子响应的实验研究第67-82页
    4.1 引言第67页
    4.2 双光子响应的定义第67-70页
        4.2.1 双光子吸收第68页
        4.2.2 倍频效应(二次谐波产生)第68-70页
            4.2.2—1 倍频效应产生的原因第68-69页
            4.2.2—2 相位匹配第69-70页
    4.3 双光子吸收的实验验证第70-71页
    4.4 双光子吸收理论第71-76页
        4.4.1 唯象的描述第71-72页
        4.4.2 双光子吸收的宏观理论第72-76页
    4.5 硅光电二极管中双光子响应的研究第76-79页
        4.5.1 测量系统第76-77页
        4.5.2 测量结果及讨论第77-79页
    4.6 小结第79-80页
    参考文献第80-82页
第五章 MSM结构器件的倍频吸收第82-98页
    5.1 光倍频原理第82-85页
    5.2 MSM结构硅样品的倍频吸收第85-92页
        5.2.1 空间电荷限制电流的基本原理第86-88页
        5.2.2 硅MSM结构样品的双光子响应第88-89页
        5.2.3 样品的Ⅰ-Ⅴ特性第89页
        5.2.4 光电信号与外加偏压的关系第89-91页
        5.2.5 光电流与红外入射光位置的关系第91-92页
    5.3 Al/Si肖特基势垒处电场诱导的倍频吸收第92-96页
    5.4 小结第96-97页
    参考文献第97-98页
第六章 半球型GaAs二次谐波产生的各向异性第98-111页
    6.1 引言第98-99页
    6.2 半球型固浸透镜技术的研究发展及应用第99-100页
    6.3 半球型固浸透镜的基本原理第100-101页
    6.4 半球型GaAs(001)底面中心处SHG的探测第101-107页
        6.4.1 测量系统及原理第101-102页
        6.4.2 由于表面电场的存在所引起的二阶极化率第102-104页
        6.4.3 结果分析第104-107页
    6.5 小结第107页
    参考文献第107-111页
结束语第111-113页
博士论文期间发表的论文第113-115页
中文详细摘要第115-118页
ABSTRACT第118页
致谢第122页

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