| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 CIGS薄膜太阳能电池研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2.1 CIGS薄膜太阳能电池的发展现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 CIGS薄膜太阳能电池的结构和工作原理 | 第12-14页 |
| 1.2.3 CIGS薄膜太阳能电池的制备方法 | 第14-17页 |
| 1.3 离子液体电沉积CIGS薄膜的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 CIG预制层硒化工艺简介 | 第19-22页 |
| 1.4.1 用H2Se作为硒源 | 第20页 |
| 1.4.2 用单质Se作为硒源 | 第20-22页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验材料及研究方法 | 第23-28页 |
| 2.1 实验药品和仪器设备 | 第23页 |
| 2.2 实验方法 | 第23-25页 |
| 2.2.1 电解液配制方法 | 第23-24页 |
| 2.2.2 基底的选择与清洗 | 第24-25页 |
| 2.2.3 电化学测试 | 第25页 |
| 2.2.4 恒电势沉积 | 第25页 |
| 2.3 薄膜材料的结构和性能表征方法 | 第25-28页 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜（SEM）和能谱分析（EDS） | 第25-26页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜（TEM） | 第26页 |
| 2.3.3 X射线衍仪 (XRD ) | 第26页 |
| 2.3.4 拉曼光谱分析(Raman) | 第26页 |
| 2.3.5 紫外光谱分析(UV-vis) | 第26-27页 |
| 2.3.6 霍尔效应测试 | 第27-28页 |
| 第3章 电沉积Cu-In/Ga金属预制层工艺的研究 | 第28-42页 |
| 3.1 离子液体中铜与铟的循环伏安行为 | 第28-30页 |
| 3.2 溶液组成及工艺条件对电沉积Cu-In合金的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.1 溶液组成对Cu-In合金沉积层组成和微观形貌的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.2 沉积电位对Cu-In合金沉积层组成和微观形貌的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.3 沉积温度对Cu-In合金沉积层组成和微观形貌的影响 | 第32-33页 |
| 3.3 Cu-In合金预制层的制备及其结构分析 | 第33-35页 |
| 3.4 离子液体中Ga的循环伏安行为 | 第35-36页 |
| 3.5 Ga在Cu-In合金预制层上的电沉积工艺研究 | 第36-38页 |
| 3.5.1 沉积温度对Cu-In/Ga金属预制层的组成和形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.5.2 沉积时间对Cu-In/Ga金属预制层的组成和形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.6 Cu-In/Ga金属预制层的组成和结构分析 | 第38-40页 |
| 3.7 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 CIGS薄膜的成膜工艺研究 | 第42-68页 |
| 4.1 硒化方式的选择。 | 第42-50页 |
| 4.1.1 开放式的硒化系统 | 第43-48页 |
| 4.1.2 封闭式的硒化系统 | 第48-50页 |
| 4.2 铜铟镓硒（CIGS）薄膜材料硒化工艺的研究 | 第50-57页 |
| 4.2.1 退火温度对铜铟镓硒薄膜材料形貌和结构的影响 | 第51-54页 |
| 4.2.2 退火时间对铜铟镓硒薄膜材料形貌和结构的影响 | 第54-57页 |
| 4.3 合金化处理对CIG金属预制层硒化结果影响 | 第57-63页 |
| 4.3.1 升温过程中的合金化处理对硒化退火过程的影响 | 第57-60页 |
| 4.3.2 不同的合金化温度对铜铟镓硒薄膜材料形貌和结构的影响 | 第60-63页 |
| 4.4 铜铟镓硒（CIGS）薄膜材料的组成和结构分析 | 第63-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
