超支化聚酰亚胺的制备及其电双稳态存储效应的研究
中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-54页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 有机信息存储器件 | 第13-17页 |
1.2.1 有机信息存储器件的基本概念 | 第13-14页 |
1.2.2 有机信息存储器件的存储类型及特性曲线 | 第14-17页 |
1.3 有机信息存储器件的存储机理 | 第17-22页 |
1.3.1 丝状传导机理 | 第17-18页 |
1.3.2 空间电荷与陷阱 | 第18-19页 |
1.3.3 电荷转移效应 | 第19-21页 |
1.3.4 构象转变机理 | 第21-22页 |
1.4 有机信息存储材料 | 第22-43页 |
1.4.1 有机小分子材料 | 第22-26页 |
1.4.2 共轭聚合物 | 第26-28页 |
1.4.3 非共轭侧链型聚合物 | 第28-31页 |
1.4.4 聚合物掺杂材料 | 第31-36页 |
1.4.5 功能性聚酰亚胺材料 | 第36-43页 |
1.5 超支化聚酰亚胺 | 第43-51页 |
1.5.1 超支化聚酰亚胺概述 | 第43-44页 |
1.5.2 超支化聚酰亚胺的合成 | 第44-48页 |
1.5.3 超支化聚酰亚胺的应用 | 第48-51页 |
1.6 本论文的设计思想及研究内容 | 第51-54页 |
1.6.1 本论文的设计思想 | 第51-52页 |
1.6.2 本论文的研究内容 | 第52-54页 |
第二章 实验部分 | 第54-60页 |
2.1 实验原料 | 第54-56页 |
2.2 测试仪器与测试方法 | 第56-60页 |
2.2.1 结构及分子量测试 | 第56-57页 |
2.2.2 热性能测试 | 第57页 |
2.2.3 形貌及膜厚测试 | 第57-58页 |
2.2.4 光性能及电学性能测试 | 第58页 |
2.2.5 存储性能测试 | 第58-60页 |
第三章 支化结构对超支化聚酰亚胺存储性能的影响 | 第60-82页 |
3.1 引言 | 第60-61页 |
3.2 三胺单体的合成与表征 | 第61-65页 |
3.2.1 三胺单体的合成 | 第61-63页 |
3.2.2 三胺单体的表征 | 第63-65页 |
3.3 超支化聚酰亚胺的合成与表征 | 第65-80页 |
3.3.1 超支化聚酰亚胺的合成 | 第65-67页 |
3.3.2 超支化聚酰亚胺的表征 | 第67-74页 |
3.3.3 存储器件的制备 | 第74-75页 |
3.3.4 存储性能测试 | 第75-77页 |
3.3.5 理论计算 | 第77页 |
3.3.6 存储机理 | 第77-80页 |
3.4 本章小结 | 第80-82页 |
第四章 线型链长对超支化聚酰亚胺存储性能的影响 | 第82-100页 |
4.1 引言 | 第82-83页 |
4.2 二胺单体的合成与表征 | 第83-86页 |
4.2.1 二胺单体的合成 | 第83-84页 |
4.2.2 二胺单体的表征 | 第84-86页 |
4.3 超支化聚酰亚胺的合成与表征 | 第86-98页 |
4.3.1 超支化聚酰亚胺的合成 | 第86-87页 |
4.3.2 超支化聚酰亚胺的表征 | 第87-93页 |
4.3.3 存储性能测试 | 第93-95页 |
4.3.4 存储机理 | 第95-98页 |
4.4 本章小结 | 第98-100页 |
第五章 端基结构对超支化聚酰亚胺存储性能的影响 | 第100-114页 |
5.1 引言 | 第100-101页 |
5.2 超支化聚酰亚胺的合成与表征 | 第101-111页 |
5.2.1 超支化聚酰亚胺的合成 | 第101-102页 |
5.2.2 超支化聚酰亚胺的表征 | 第102-108页 |
5.2.3 存储性能测试 | 第108-110页 |
5.2.4 存储机理 | 第110-111页 |
5.3 本章小结 | 第111-114页 |
第六章 结论 | 第114-116页 |
参考文献 | 第116-134页 |
致谢 | 第134-136页 |
作者简介 | 第136页 |
攻读博士学位期间发表论文 | 第136-137页 |