| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| 1.1 气体传感器的定义和分类 | 第8-9页 |
| 1.2 气体传感器的性能指标 | 第9-11页 |
| 1.3 半导体金属氧化物传感器的响应机理 | 第11-15页 |
| 1.3.1 固气接触界面吸附、脱附模型 | 第11-12页 |
| 1.3.2 接触式燃烧反应模型 | 第12-13页 |
| 1.3.3 氧化还原反应模型 | 第13-15页 |
| 1.4 晶粒尺寸大小对敏感材料的影响 | 第15-16页 |
| 1.5 多孔硅基气敏传感器介绍 | 第16-18页 |
| 1.6 半导体金属氧化物纳米材料的研究现状 | 第18-23页 |
| 1.7 贵金属掺杂金属氧化钨半导体纳米材料研究进展 | 第23-26页 |
| 1.8 本论文的选题依据和研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 实验仪器与分析表征手段 | 第28-36页 |
| 2.1 对靶磁控溅射镀膜机 | 第28-30页 |
| 2.1.1 对靶磁控溅射镀膜机结构简介 | 第28页 |
| 2.1.2 对靶磁控溅射镀膜机理 | 第28-29页 |
| 2.1.3 真空磁控溅射的步骤 | 第29页 |
| 2.1.4 真空磁控溅射镀膜的工艺参数 | 第29-30页 |
| 2.2 可编程高温真空管式炉 | 第30-32页 |
| 2.2.1 高温真空管式炉的介绍 | 第30-31页 |
| 2.2.2 高温真空管式炉的操作流程 | 第31-32页 |
| 2.3 NO_2气敏性能测试系统 | 第32-33页 |
| 2.4 微观分析与表征手段 | 第33-36页 |
| 2.4.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM)技术 | 第33页 |
| 2.4.2 X射线衍射(XRD)技术 | 第33-34页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜(TEM)技术 | 第34-36页 |
| 第三章 硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器的制备与研究 | 第36-46页 |
| 3.1 多孔硅基底制备 | 第37-40页 |
| 3.1.1 硅片切割和清洗 | 第37-38页 |
| 3.1.2 电化学腐蚀制备多孔硅基底 | 第38-39页 |
| 3.1.3 多孔硅的形成机理 | 第39-40页 |
| 3.2 磁控溅射淀积金属钨薄膜 | 第40-41页 |
| 3.3 管式炉热处理生长氧化钨纳米线 | 第41-42页 |
| 3.4 热退火工艺 | 第42-43页 |
| 3.5 电极制备 | 第43-44页 |
| 3.6 气敏性能测试 | 第44-46页 |
| 第四章 贵金属掺杂硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器的制备与研究 | 第46-55页 |
| 4.1 金掺杂硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器的制备 | 第46页 |
| 4.2 金掺杂硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器的微观表征与分析 | 第46-52页 |
| 4.2.1 热处理温度对金掺杂硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器结构的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.2 退火时间对金掺杂硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器结构的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.3 金掺杂量对硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器结构的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.4 不同金掺杂量下硅基多孔硅/氧化钨纳米线的XRD分析 | 第51-52页 |
| 4.3 金掺杂硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器气敏性能研究 | 第52-54页 |
| 4.3.1 金掺杂量硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器NO_2气敏性能研究 | 第52-53页 |
| 4.3.2 金掺杂硅基多孔硅/氧化钨纳米线气敏传感器气敏响应机理研究 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小节 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 总结 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
