| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 引言 | 第7-9页 |
| 1.2 课题研究目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究概况 | 第10-13页 |
| 1.4 论文的主要研究内容与结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 SOI-MOSFET器件浮体效应和自加热效应研究 | 第15-30页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 浮体效应研究 | 第15-19页 |
| 2.2.1 浮体效应产生机理 | 第15-16页 |
| 2.2.2 浮体效应对SOI器件的影响 | 第16-17页 |
| 2.2.3 浮体效应的模拟研究 | 第17-19页 |
| 2.3 自加热效应研究 | 第19-26页 |
| 2.3.1 自加热效应产生机理 | 第20页 |
| 2.3.2 自加热效应对SOI器件的影响 | 第20-23页 |
| 2.3.3 自加热效应模拟研究 | 第23-26页 |
| 2.4 克服浮体效应和自加热效应的新结构 | 第26-29页 |
| 2.4.1 抑制浮体效应 | 第26-27页 |
| 2.4.2 抑制自加热效应 | 第27-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 SON-MOSFET器件仿真与电学特性分析 | 第30-45页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 模型建立 | 第30-35页 |
| 3.2.1 Sentaurus Process工艺仿真 | 第30-31页 |
| 3.2.2 Sentaurus Device器件仿真 | 第31-35页 |
| 3.3 模型校准 | 第35-38页 |
| 3.3.1 工艺结构校准 | 第35-36页 |
| 3.3.2 器件电学特性校准 | 第36-38页 |
| 3.4 SON MOSFET器件仿真 | 第38-44页 |
| 3.4.1 SON MOSFET电学特性分析 | 第38-41页 |
| 3.4.2 SON MOSFET、SOI MOSFET和体硅器件电学特性比较 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 SON-MOSFET器件工艺流程 | 第45-56页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 单步工艺 | 第45-47页 |
| 4.2.1 薄膜工艺 | 第45-46页 |
| 4.2.2 掺杂工艺 | 第46页 |
| 4.2.3 刻蚀工艺 | 第46-47页 |
| 4.2.4 光刻工艺 | 第47页 |
| 4.2.5 平坦化工艺 | 第47页 |
| 4.3 SON-MOSFET衬底工艺流程 | 第47-51页 |
| 4.3.1 硅锗层腐蚀 | 第47-49页 |
| 4.3.2 掩膜层(Si_3N_4，SiO_2)生长方式 | 第49-51页 |
| 4.4 SON-MOSFET器件工艺流程 | 第51-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 结论 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
