| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.1.1 存储器发展现状 | 第9-10页 |
| 1.1.2 新型非挥发性存储器 | 第10-11页 |
| 1.2 阻变存储器 | 第11-19页 |
| 1.2.1 阻变存储器的基本概念 | 第12-14页 |
| 1.2.2 阻变存储器的阻变机理 | 第14-19页 |
| 1.2.3 TiO_x阻变存储器的研究现状 | 第19页 |
| 1.3 论文选题意义及研究的内容和方法 | 第19-21页 |
| 第二章 阻变存储器件的制备以及表征、测试 | 第21-27页 |
| 2.1 阻变存储器的制备 | 第21-23页 |
| 2.1.1 电极的制备-溅射设备、电子束蒸发设备 | 第21-23页 |
| 2.1.2 氧化钛薄膜的制备-溅射设备 | 第23页 |
| 2.2 薄膜及阻变器件的测试、表征设备 | 第23-27页 |
| 2.2.1 四探针测试仪 | 第23-24页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.3 XRD | 第25页 |
| 2.2.4 电学特性测试仪器 | 第25-27页 |
| 第三章 不同顶电极对器件Endurance的影响 | 第27-40页 |
| 3.1 阻变器件的制备阶段 | 第27-30页 |
| 3.1.1 TiO_x的制备和表征 | 第27-28页 |
| 3.1.2 TiN电极的优化 | 第28-30页 |
| 3.2 不同顶电极对TiO_x阻变存储器的影响 | 第30-38页 |
| 3.2.1 Ti N/TiO_x/Pt器件的阻变特性 | 第31-34页 |
| 3.2.2 Cu/TiO_x/Pt器件的阻变特性 | 第34-36页 |
| 3.2.3 Al/TiO_x/Pt器件的阻变特性 | 第36-38页 |
| 3.3 TiN、Cu、Al/TiO_x/Pt三种结构Endurance的对比 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 RRAM器件耐受性失效机理分析及优化 | 第40-47页 |
| 4.1 Endurance的基本概念 | 第40-41页 |
| 4.2 基于Al/TiO_x/Pt结构Endurance失效机理分析 | 第41-43页 |
| 4.3 ATP结构Endurance的改良方法 | 第43-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
