| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 符号说明 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-20页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 薄膜晶体管的研究现状与应用 | 第16-18页 |
| 1.3 自开关二极管(SSD)的研究现状与应用 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 实验设备 | 第20-35页 |
| 2.1 磁控溅射镀膜系统 | 第20-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射基本原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 磁控溅射装置 | 第21-22页 |
| 2.1.2.1 磁控溅射技术指标 | 第22页 |
| 2.1.3 磁控溅射设备在论文中的应用 | 第22页 |
| 2.2 电子束蒸发系统 | 第22-25页 |
| 2.2.1 电子束蒸发基本原理 | 第22-24页 |
| 2.2.2 电子束蒸发装置 | 第24页 |
| 2.2.2.1 仪器主要技术指标 | 第24页 |
| 2.2.3 电子束蒸发在本论文中的应用 | 第24-25页 |
| 2.3 紫外光刻系统 | 第25-27页 |
| 2.3.1 紫外光刻机基本原理 | 第25-26页 |
| 2.3.2 紫外光刻机装置 | 第26-27页 |
| 2.3.2.1 仪器主要技术指标 | 第27页 |
| 2.3.3 紫外光刻机在论文中的应用 | 第27页 |
| 2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第27-30页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜基本原理 | 第27-28页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜装置 | 第28-30页 |
| 2.4.2.1 扫描电子显微镜技术参数 | 第29-30页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜在本论文中的应用 | 第30页 |
| 2.5 电子束光刻 | 第30-33页 |
| 2.5.1 电子束光刻系统 | 第30-31页 |
| 2.5.2 电子团聚 | 第31-32页 |
| 2.5.3 电子束光刻装置 | 第32-33页 |
| 2.5.3.1 电子束光刻技术指标 | 第32-33页 |
| 2.5.4 电子束光刻系统的技术参数与在本论文中的应用 | 第33页 |
| 2.6 感应耦合等离子刻蚀系统(ICP) | 第33-35页 |
| 2.6.1 感应耦合等离子刻蚀原理 | 第33页 |
| 2.6.2 感应耦合等离子刻蚀装置 | 第33-34页 |
| 2.6.2.1 仪器主要技术指标 | 第34页 |
| 2.6.3 感应耦合等离子刻蚀在本论文中的应用 | 第34-35页 |
| 第三章 器件工作原理 | 第35-39页 |
| 3.1 金属氧化物薄膜晶体管 | 第35-38页 |
| 3.1.1 金属氧化物薄膜晶体管器件结构 | 第35页 |
| 3.1.2 金属氧化物薄膜晶体管器件工作原理 | 第35-37页 |
| 3.1.3 金属氧化物薄膜晶体管器件参数分析 | 第37-38页 |
| 3.2 平面纳米电子器件 | 第38-39页 |
| 3.2.1 平面纳米电子器件结构 | 第38页 |
| 3.2.2 平面纳米电子器件工作原理 | 第38-39页 |
| 第四章 以PMMA为绝缘层制备高性能的非晶IGZO TFT | 第39-53页 |
| 4.1 a-IGZO TFT器件制备 | 第39-42页 |
| 4.2 各个参数对器件性能的影响 | 第42-53页 |
| 4.2.1 PMMA的退火温度对器件性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.2.2 IGZO界面处理对器件的性能影响 | 第45-48页 |
| 4.2.3 PMMA界面处理对器件的性能影响 | 第48-49页 |
| 4.2.4 PMMA厚度对器件的性能影响 | 第49页 |
| 4.2.5 电子束蒸发和热蒸发顶栅电极对a-IGZO TFT性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.6 双栅IGZO TFT | 第51-53页 |
| 第五章 制备非晶IGZO SSD(self-switching diode) | 第53-59页 |
| 5.1 非晶IGZO SSD制备流程 | 第53-54页 |
| 5.2 欧姆接触 | 第54-55页 |
| 5.3 湿法刻蚀和干法刻蚀对刻蚀IGZO SSD形貌以及器件性能的影响 | 第55-57页 |
| 5.4 沟道宽度和长度对器件性能的影响 | 第57-59页 |
| 第六章 总结及未来工作 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附件 | 第66页 |
