| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-12页 |
| 2 研究背景 | 第12-45页 |
| 2.1 纳米科技与纳米材料简介 | 第12-13页 |
| 2.2 石墨烯纳米材料 | 第13-31页 |
| 2.2.1 石墨烯的性能 | 第15-18页 |
| 2.2.2 石墨烯的制备方法 | 第18-25页 |
| 2.2.3 石墨烯的转移方法 | 第25-31页 |
| 2.3 石墨烯/半导体异质结光探测器 | 第31-39页 |
| 2.3.1 石墨烯/半导体异质结光伏型光探测器 | 第31-35页 |
| 2.3.2 石墨烯/半导体异质结光栅压型光探测器 | 第35-39页 |
| 2.4 压电电子学效应 | 第39-44页 |
| 2.4.1 压电电子学效应简介 | 第39-40页 |
| 2.4.2 压电电子学效应在光电探测器中的应用 | 第40-44页 |
| 2.5 研究目的与内容 | 第44-45页 |
| 3 石墨烯的制备 | 第45-58页 |
| 3.1 铜箔的预处理 | 第45-47页 |
| 3.2 生长温度对石墨烯生长的影响 | 第47-49页 |
| 3.3 CH_4流量对石墨烯生长的影响 | 第49-52页 |
| 3.4 H_2流量对石墨烯生长的影响 | 第52-57页 |
| 3.5 小结 | 第57-58页 |
| 4 石墨烯的转移 | 第58-70页 |
| 4.1 PMMA辅助转移石墨烯 | 第58-60页 |
| 4.2 摩擦静电力辅助转移石墨烯 | 第60-69页 |
| 4.2.1 基底表面摩擦电荷密度的影响因素 | 第61-64页 |
| 4.2.2 转移后石墨烯的表征 | 第64-67页 |
| 4.2.3 转移后石墨烯的电学和力学性能 | 第67-69页 |
| 4.3 小结 | 第69-70页 |
| 5 石墨烯/ZnO纳米线异质结光探测器 | 第70-89页 |
| 5.1 石墨烯/ZnO纳米线异质结光探测器的构建 | 第70-74页 |
| 5.2 石墨烯/ZnO纳米线异质结光探测器的电学性能 | 第74-80页 |
| 5.3 器件在光伏模式及应变下的光电性能 | 第80-82页 |
| 5.4 器件在光栅压模式及应变下的光电性能 | 第82-88页 |
| 5.5 小结 | 第88-89页 |
| 6 石墨烯/ZnO阵列异质结光探测器 | 第89-101页 |
| 6.1 石墨烯/ZnO纳米线阵列异质结光探测器的构建 | 第89-92页 |
| 6.2 H_2O_2处理对器件电学和光电性能的影响 | 第92-95页 |
| 6.3 ZnO的压电电势对器件电学和光电性能的影响 | 第95-100页 |
| 6.4 小结 | 第100-101页 |
| 7 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-117页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第117-122页 |
| 学位论文数据集 | 第122页 |
