| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第10-23页 |
| 1.1 中子物理及中子应用技术综述 | 第10-12页 |
| 1.1.1 中子的发现 | 第10页 |
| 1.1.2 中子物理研究 | 第10-11页 |
| 1.1.3 中子应用技术研究 | 第11-12页 |
| 1.2 中子测量方法综述 | 第12-13页 |
| 1.2.1 核反冲法 | 第12页 |
| 1.2.2 核反应法 | 第12页 |
| 1.2.3 核裂变法 | 第12-13页 |
| 1.2.4 核活化法 | 第13页 |
| 1.3 中子能谱测量方法和研究进展综述 | 第13-20页 |
| 1.3.1 中子能谱测量方法综述 | 第13-14页 |
| 1.3.2 快中子能谱测量研究进展 | 第14-20页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第20-23页 |
| 第二章 D-T中子在聚乙烯膜上的反冲质子特性模拟及实验条件确定 | 第23-35页 |
| 2.1 D-T聚变反应加速器中子源简介 | 第23-24页 |
| 2.2 反冲质子法D-T快中子能谱测量原理及需要解决的基本问题 | 第24-25页 |
| 2.2.1 能谱测量原理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 需要解决的基本问题 | 第25页 |
| 2.3 反冲质子产额、角分布及能谱模拟研究 | 第25-34页 |
| 2.3.1 MCNP程序简介 | 第25-26页 |
| 2.3.2 反冲质子积分产额及平均能谱模拟 | 第26-29页 |
| 2.3.3 反冲质子微分产额、能谱及角分布模拟 | 第29-34页 |
| 2.4 测量条件选择 | 第34页 |
| 2.5 小结 | 第34-35页 |
| 第三章 能谱反演理论和算法及计算程序开发 | 第35-43页 |
| 3.1 能谱反演的基本理论基础 | 第35-36页 |
| 3.2 最小二乘法能谱反演基本理论及算法 | 第36-38页 |
| 3.2.1 最小二乘法能谱反演理论 | 第36-38页 |
| 3.2.2 算法及反演程序开发 | 第38页 |
| 3.3 迭代算法能谱反演理论及算法 | 第38-42页 |
| 3.3.1 迭代算法能谱反演理论 | 第38-41页 |
| 3.3.2 算法及反演程序开发 | 第41-42页 |
| 3.4 总结 | 第42-43页 |
| 第四章 D-T快中子能谱测量反演方法的模拟研究与测试 | 第43-57页 |
| 4.1 聚乙烯膜响应矩阵的蒙特卡洛模拟 | 第43-49页 |
| 4.1.1 模拟模型建立 | 第43-44页 |
| 4.1.2 模拟结果及讨论 | 第44-49页 |
| 4.2 D-T快中子能谱设定及反冲质子能谱模拟 | 第49-53页 |
| 4.2.1 D-T快中子能谱设定 | 第49-52页 |
| 4.2.2 反冲质子能谱模拟 | 第52-53页 |
| 4.3 最小二乘法D-T快中子能谱的反演验证 | 第53-54页 |
| 4.3.1 探测器位于0°条件下D-T快中子能谱的反演结果 | 第53页 |
| 4.3.2 讨论 | 第53-54页 |
| 4.4 迭代法D-T快中子能谱的反演验证 | 第54-55页 |
| 4.4.1 探测器位于0°条件下D-T快中子能谱的反演结果 | 第54页 |
| 4.4.2 45°条件下D-T快中子能谱的反演结果 | 第54-55页 |
| 4.4.3 讨论 | 第55页 |
| 4.5 小结 | 第55-57页 |
| 第五章 探测器系统的初步模拟研究与设计 | 第57-67页 |
| 5.1 Si(Au)探测器的选择 | 第57-58页 |
| 5.2 中子准直屏蔽体对中子能谱的影响 | 第58-59页 |
| 5.3 系统的探测效率及Si(Au)探测器中的质子能谱 | 第59-61页 |
| 5.3.1 系统的探测效率 | 第59-60页 |
| 5.3.2 Si(Au)探测器中的质子响应谱 | 第60-61页 |
| 5.4 屏蔽效果及中子对探测器的影响 | 第61-65页 |
| 5.4.1 探测器中的中子注量率及能谱 | 第61-62页 |
| 5.4.2 中子与Si反应产生的质子及α粒子能谱 | 第62-65页 |
| 5.5 小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 总结 | 第67页 |
| 6.2 展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 在学期间的研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
