感应熔炼提纯多晶硅过程中杂质分凝的研究
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 立题背景 | 第7-8页 |
| 1.2 冶金法提纯多晶硅的工艺流程 | 第8-12页 |
| 1.2.1 制备太阳能级多晶硅的主要工艺路线 | 第8-12页 |
| 1.3 定向凝固技术的发展 | 第12-16页 |
| 1.3.1 浇铸法 | 第12-13页 |
| 1.3.2 布里奇曼法 | 第13页 |
| 1.3.3 定向凝固系统法 | 第13-14页 |
| 1.3.4 热交换法 | 第14-15页 |
| 1.3.5 电磁铸锭法 | 第15-16页 |
| 1.4 杂质分凝原理 | 第16-19页 |
| 1.5 本课题研究内容 | 第19-21页 |
| 2 实验设备及工艺 | 第21-28页 |
| 2.1 中频感应定向凝固炉（DPS-650） | 第21-23页 |
| 2.1.1 DPS650设备工作原理 | 第21页 |
| 2.1.2 DPS650设备构成 | 第21-23页 |
| 2.2 低B工业硅 | 第23-25页 |
| 2.3 样品制备设备 | 第25页 |
| 2.3.1 超声波清洗仪 | 第25页 |
| 2.3.2 磨样机 | 第25页 |
| 2.3.3 烘干箱 | 第25页 |
| 2.4 样品检测设备 | 第25-28页 |
| 2.4.1 电感耦合等离子体质谱仪 | 第25-26页 |
| 2.4.2 电子探针显微分析仪 | 第26-27页 |
| 2.4.3 四探针电阻率测试仪 | 第27-28页 |
| 3 感应熔炼条件下多晶硅铸锭组织及杂质分布 | 第28-38页 |
| 3.1 实验过程 | 第28-30页 |
| 3.2 实验结果及分析 | 第30-37页 |
| 3.2.1 硅锭脱模 | 第30-32页 |
| 3.2.2 晶粒形貌 | 第32-33页 |
| 3.2.3 电学性能 | 第33-34页 |
| 3.2.4 杂质分布 | 第34-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 感应熔炼条件下温度梯度对杂质分凝的影响 | 第38-48页 |
| 4.1 实验过程 | 第38-40页 |
| 4.2 温度梯度对铸锭组织及杂质分布的影响 | 第40-44页 |
| 4.2.1 晶体生长 | 第40-41页 |
| 4.2.2 杂质分布 | 第41-42页 |
| 4.2.3 固液界面形貌 | 第42-44页 |
| 4.3 温度梯度对杂质分凝的影响 | 第44-47页 |
| 4.3.1 扩散层厚度和有效分凝系数 | 第44-46页 |
| 4.3.2 固液界面前沿杂质传输 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 全文总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
