垂直电荷成像器件(VPS)的复位方式研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 前言 | 第10-11页 |
| 1.2 VPS复位研究背景 | 第11-19页 |
| 1.2.1 CCD和CMOS | 第11-15页 |
| 1.2.2 垂直电荷成像器件(VPS) | 第15-17页 |
| 1.2.3 VPS复位 | 第17-19页 |
| 1.3 论文主要研究内容和章节组成 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-21页 |
| 第二章 VPS复位方式和机制 | 第21-38页 |
| 2.1 FN隧穿电子注入 | 第21-28页 |
| 2.2 热电子注入 | 第28-36页 |
| 2.2.1 CHE注入 | 第28-33页 |
| 2.2.2 漏极雪崩热载流子注入(DAHC) | 第33-36页 |
| 2.3 UV-EPROM擦除 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 VPS复位实验样品与实验要求 | 第38-46页 |
| 3.1 实验仪器 | 第38-39页 |
| 3.2 实验样品选取 | 第39-42页 |
| 3.3 复位要求 | 第42-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 CHE和DACH复位 | 第46-52页 |
| 4.1 CHE注入 | 第46-49页 |
| 4.1.1 精确CHE复位 | 第46-47页 |
| 4.1.2 快速CHE复位 | 第47-49页 |
| 4.2 DAHC复位 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 FN隧穿复位 | 第52-61页 |
| 5.1 源端复位与衬底复位比较 | 第52-53页 |
| 5.2 两步复位法 | 第53-55页 |
| 5.3 三步复位法 | 第55-58页 |
| 5.4 5K×5K VPS阵列FN隧穿复位 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
