摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-21页 |
1.1 研究的意义和背景 | 第9-10页 |
1.2 一维纳米结构的生长机理 | 第10-12页 |
1.2.1 气-固(VS)生长模式 | 第10页 |
1.2.2 气-液-固(VLS)生长模式 | 第10-11页 |
1.2.3 固-液-固(SLS)生长模式 | 第11页 |
1.2.4 气-固-固(VSS)生长模式 | 第11页 |
1.2.5 溶液-液-固(SLS)生长模式 | 第11-12页 |
1.2.6 溶液-固-固(SFSS)生长模式 | 第12页 |
1.3 硅纳米线的制备方法 | 第12-14页 |
1.3.1 物理刻蚀法 | 第12-13页 |
1.3.2 激光刻蚀法 | 第13页 |
1.3.3 化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)法 | 第13页 |
1.3.4 热蒸发法 | 第13页 |
1.3.5 溶液法 | 第13-14页 |
1.4 硅纳米线的应用 | 第14-15页 |
1.4.1 半导体传感器 | 第14页 |
1.4.2 光电子器件 | 第14页 |
1.4.3 太阳能电池 | 第14-15页 |
1.5 镁铝尖晶石的常见制备方法及应用 | 第15-17页 |
1.5.1 镁铝尖晶石的常见制备方法 | 第15-16页 |
1.5.2 镁铝尖晶石的应用 | 第16-17页 |
1.6 电化学传感器及检测方法 | 第17-20页 |
1.6.1 电化学传感器检测原理 | 第17-18页 |
1.6.2 伏安法 | 第18-19页 |
1.6.3 库仑滴定法 | 第19-20页 |
1.6.4 交流阻抗法 | 第20页 |
1.7 本文主要研究内容 | 第20-21页 |
第二章 硅纳米线的制备与表征及生长机理 | 第21-30页 |
2.1 直流电弧等离子体喷射化学气相沉积技术的简介 | 第21-25页 |
2.1.1 直流电弧等离子体喷射CVD原理 | 第21-22页 |
2.1.2 直流电弧等离子体喷射CVD系统组成及技术参数 | 第22-24页 |
2.1.3 设备的操作和维护 | 第24-25页 |
2.2 直流电弧等离子体喷射CVD法制备硅纳米线 | 第25页 |
2.3 硅纳米线的表征 | 第25-27页 |
2.3.1 硅纳米线的SEM表征 | 第25-26页 |
2.3.2 硅纳米线的TEM表征 | 第26-27页 |
2.4 硅纳米线的生长机理分析 | 第27页 |
2.5 硅纳米线制备展望 | 第27-29页 |
2.5.1 硅纳米线横向定向生长 | 第27-28页 |
2.5.2 硅纳米线的图案化 | 第28-29页 |
2.6 本章小结 | 第29-30页 |
第三章 镁铝尖晶石纳米结构的制备及生长机制的研究 | 第30-35页 |
3.1 镁铝尖晶石纳米结构的制备 | 第30页 |
3.2 镁铝尖晶石纳米结构的表征及分析 | 第30-33页 |
3.3 镁铝尖晶石纳米结构生长机理分析 | 第33-34页 |
3.4 本章小结 | 第34-35页 |
第四章 镁铝尖晶石纳米结构在电化学传感器方面的应用 | 第35-47页 |
4.1 基于镁铝尖晶石构建电化学传感器 | 第35页 |
4.2 镁铝尖晶石修饰电极的电化学性能 | 第35-38页 |
4.3 使用镁铝尖晶石修饰电极定性分析HQ、CC和RC | 第38-41页 |
4.3.1 pH值的选择 | 第39页 |
4.3.2 反应动力学分析 | 第39-40页 |
4.3.3 定性指标分析 | 第40-41页 |
4.4 使用镁铝尖晶石修饰电极定量分析HQ、CC和RC | 第41-46页 |
4.4.1 单独检测 | 第41-42页 |
4.4.2 选择性检测 | 第42-43页 |
4.4.3 同时检测 | 第43-45页 |
4.4.4 抗干扰能力、稳定性及再现性分析 | 第45-46页 |
4.5 本章小结 | 第46-47页 |
第五章 本文总结 | 第47-48页 |
参考文献 | 第48-52页 |
发表论文和科研情况说明 | 第52-53页 |
致谢 | 第53页 |