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硅纳米线和镁铝氧化物纳米结构的可控制备及应用

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 研究的意义和背景第9-10页
    1.2 一维纳米结构的生长机理第10-12页
        1.2.1 气-固(VS)生长模式第10页
        1.2.2 气-液-固(VLS)生长模式第10-11页
        1.2.3 固-液-固(SLS)生长模式第11页
        1.2.4 气-固-固(VSS)生长模式第11页
        1.2.5 溶液-液-固(SLS)生长模式第11-12页
        1.2.6 溶液-固-固(SFSS)生长模式第12页
    1.3 硅纳米线的制备方法第12-14页
        1.3.1 物理刻蚀法第12-13页
        1.3.2 激光刻蚀法第13页
        1.3.3 化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)法第13页
        1.3.4 热蒸发法第13页
        1.3.5 溶液法第13-14页
    1.4 硅纳米线的应用第14-15页
        1.4.1 半导体传感器第14页
        1.4.2 光电子器件第14页
        1.4.3 太阳能电池第14-15页
    1.5 镁铝尖晶石的常见制备方法及应用第15-17页
        1.5.1 镁铝尖晶石的常见制备方法第15-16页
        1.5.2 镁铝尖晶石的应用第16-17页
    1.6 电化学传感器及检测方法第17-20页
        1.6.1 电化学传感器检测原理第17-18页
        1.6.2 伏安法第18-19页
        1.6.3 库仑滴定法第19-20页
        1.6.4 交流阻抗法第20页
    1.7 本文主要研究内容第20-21页
第二章 硅纳米线的制备与表征及生长机理第21-30页
    2.1 直流电弧等离子体喷射化学气相沉积技术的简介第21-25页
        2.1.1 直流电弧等离子体喷射CVD原理第21-22页
        2.1.2 直流电弧等离子体喷射CVD系统组成及技术参数第22-24页
        2.1.3 设备的操作和维护第24-25页
    2.2 直流电弧等离子体喷射CVD法制备硅纳米线第25页
    2.3 硅纳米线的表征第25-27页
        2.3.1 硅纳米线的SEM表征第25-26页
        2.3.2 硅纳米线的TEM表征第26-27页
    2.4 硅纳米线的生长机理分析第27页
    2.5 硅纳米线制备展望第27-29页
        2.5.1 硅纳米线横向定向生长第27-28页
        2.5.2 硅纳米线的图案化第28-29页
    2.6 本章小结第29-30页
第三章 镁铝尖晶石纳米结构的制备及生长机制的研究第30-35页
    3.1 镁铝尖晶石纳米结构的制备第30页
    3.2 镁铝尖晶石纳米结构的表征及分析第30-33页
    3.3 镁铝尖晶石纳米结构生长机理分析第33-34页
    3.4 本章小结第34-35页
第四章 镁铝尖晶石纳米结构在电化学传感器方面的应用第35-47页
    4.1 基于镁铝尖晶石构建电化学传感器第35页
    4.2 镁铝尖晶石修饰电极的电化学性能第35-38页
    4.3 使用镁铝尖晶石修饰电极定性分析HQ、CC和RC第38-41页
        4.3.1 pH值的选择第39页
        4.3.2 反应动力学分析第39-40页
        4.3.3 定性指标分析第40-41页
    4.4 使用镁铝尖晶石修饰电极定量分析HQ、CC和RC第41-46页
        4.4.1 单独检测第41-42页
        4.4.2 选择性检测第42-43页
        4.4.3 同时检测第43-45页
        4.4.4 抗干扰能力、稳定性及再现性分析第45-46页
    4.5 本章小结第46-47页
第五章 本文总结第47-48页
参考文献第48-52页
发表论文和科研情况说明第52-53页
致谢第53页

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