| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 聚合物材料的优势 | 第9-10页 |
| 1.3 聚合物波导延时线概述 | 第10-11页 |
| 1.4 聚合物波导延时线的研究进展 | 第11-14页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第14-17页 |
| 第二章 聚合物弯曲波导延时线的模拟与设计 | 第17-29页 |
| 2.1 光波导的常见模拟方法 | 第17-19页 |
| 2.2 光波导设计 | 第19-20页 |
| 2.3 弯曲损耗模拟设计 | 第20-28页 |
| 2.3.1 弯曲损耗的理论知识 | 第20-22页 |
| 2.3.1.1 借助保形变换法分析弯曲半径的损耗 | 第21页 |
| 2.3.1.2 借助归一化法分析弯曲半径的损耗 | 第21-22页 |
| 2.3.2 弯曲损耗与弯曲半径的关系 | 第22-23页 |
| 2.3.3 弯曲损耗的优化 | 第23-25页 |
| 2.3.4 添加Offset和Trench结构的弯曲波导延时线的掩膜板设计 | 第25-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 聚合物光波导器件制备的工艺研究 | 第29-39页 |
| 3.1 聚合物光波导器件制备的工艺流程介绍 | 第29-30页 |
| 3.2 甩膜工艺研究 | 第30页 |
| 3.3 刻蚀工艺研究 | 第30-39页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第31页 |
| 3.3.2 刻蚀功率对刻蚀效果的影响 | 第31-34页 |
| 3.3.2.1 刻蚀功率对刻蚀速率的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.2.2 刻蚀功率对刻蚀表面粗糙度的影响 | 第32页 |
| 3.3.2.3 刻蚀功率对波导侧壁垂直度的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.2.4 刻蚀功率对波导刻蚀样貌的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.3 反应腔室压强对刻蚀效果的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.3.1 反应腔室压强对刻蚀速率的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.3.2 反应腔室压强对波导表面毛糙度的影响 | 第35页 |
| 3.3.3.3 反应腔室压强对波导侧壁垂直度的影响 | 第35页 |
| 3.3.3.4 反应腔室压强对波导刻蚀样貌的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.4 反应气体组分与配比对刻蚀效果的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.4.1 气体组分与配比对刻蚀速率的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.4.2 气体组分与配比对波导表面毛糙度的影响 | 第37页 |
| 3.3.4.3 气体组分与配比对波导侧壁垂直度的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.4.4 气体组分与配比对波导样貌的影响 | 第38页 |
| 3.3.5 实验结论 | 第38-39页 |
| 第四章 聚合物弯曲波导延时线的研究与制备 | 第39-57页 |
| 4.1 聚合物弯曲波导延时线制备的实验过程 | 第39-47页 |
| 4.1.1 聚合物制备材料的选择 | 第39页 |
| 4.1.2 实验仪器与设备 | 第39-40页 |
| 4.1.3 实验过程 | 第40-47页 |
| 4.2 聚合物弯曲波导延时线损耗的测试与分析 | 第47-55页 |
| 4.2.1 传输损耗和耦合损耗的测算 | 第47-48页 |
| 4.2.2 弯曲损耗的测算 | 第48-52页 |
| 4.2.3 Offset结构对弯曲损耗的影响 | 第52-54页 |
| 4.2.4 Trench结构对弯曲损耗的影响 | 第54-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 螺旋型聚合物波导延时线的研究与制备 | 第57-65页 |
| 5.1 螺旋型波导延时线波导参数的设计 | 第57-60页 |
| 5.1.1 芯层与上下包层的折射率之差 | 第57页 |
| 5.1.2 波导的物理尺寸 | 第57页 |
| 5.1.3 弧形波导的曲率半径 | 第57-58页 |
| 5.1.4 波导间隔 | 第58-60页 |
| 5.2 螺旋型波导延时线掩膜板的设计与制备 | 第60-62页 |
| 5.3 螺旋型波导延时线的制备 | 第62-63页 |
| 5.4 螺旋型波导延时线的损耗测试 | 第63-65页 |
| 第六章 结论与展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |
