| 摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRACT | 第11-14页 |
| 主要符号表 | 第15-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 RRAM器件概述 | 第17-23页 |
| 1.2.1 RRAM器件的基本结构 | 第17-20页 |
| 1.2.2 RRAM器件的阻变类型 | 第20-22页 |
| 1.2.3 RRAM器件参数 | 第22-23页 |
| 1.3 RRAM阻变机理的争议 | 第23-28页 |
| 1.3.1 不同RRAM阻变机理的简单介绍 | 第24-25页 |
| 1.3.2 RRAM特性曲线的线性拟合 | 第25-28页 |
| 1.4 课题的选取 | 第28-30页 |
| 第二章 实验设备和测试分析方法 | 第30-37页 |
| 2.1 实验设备 | 第30-33页 |
| 2.1.1 旋涂仪(Spin-coater) | 第30-31页 |
| 2.1.2 电子束蒸发设备(E-Bearn Evaporation) | 第31-32页 |
| 2.1.3 热蒸发设备(Thermal Evaporation) | 第32-33页 |
| 2.2 测试分析方法 | 第33-37页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM, Atomic Force Microscope) | 第33-34页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM, Scanning Electron Microscope) | 第34-35页 |
| 2.2.3 半导体器件分析仪(Semiconductor Device Analyzer) | 第35-37页 |
| 第三章 POMA基RRAM器件的性能调控 | 第37-51页 |
| 3.1 Al/POMA/ITO器件存储单元的制备 | 第37-39页 |
| 3.1.1 衬底清洗 | 第37-38页 |
| 3.1.2 POMA阻变层的制备 | 第38页 |
| 3.1.3 Al电极的蒸镀 | 第38-39页 |
| 3.2 Al/POMA/ITO器件的阻变特性 | 第39-41页 |
| 3.2.1 电形成过程 | 第39-40页 |
| 3.2.2 双极阻变行为 | 第40-41页 |
| 3.3 探究各种因素对POMA基RRAM器件阻变特性的影响 | 第41-50页 |
| 3.3.1 蒸镀方法对阻变特性的影响 | 第42页 |
| 3.3.2 膜厚对阻变特性的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.3 电极材料对阻变特性的影响 | 第44-50页 |
| 3.3.4 测试手段对阻变特性的影响 | 第50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 POMA基RRAM器件存储机理的研究 | 第51-60页 |
| 4.1 Ⅰ-Ⅴ曲线的线性拟合 | 第51-55页 |
| 4.2 导电AFM的测试分析 | 第55-57页 |
| 4.3 阻变性能退化的机理分析 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第69-70页 |
| 发表的论文 | 第69-70页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第70页 |
