阶跃光激励下的半导体光热光偏转现象
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·半导体的光激发过程和热源产生 | 第9-11页 |
| ·半导体中光声效应的一般机理 | 第11-12页 |
| ·等离子体波 | 第11页 |
| ·热波 | 第11-12页 |
| ·声波 | 第12页 |
| ·光热光偏转技术的原理和特点 | 第12-13页 |
| ·光热光偏转技术的原理 | 第12-13页 |
| ·光热光偏转技术的特点 | 第13页 |
| ·光热偏转技术的实验装置 | 第13-15页 |
| ·光热光偏转技术及其应用研究的发展 | 第15-16页 |
| ·在半导体材料和器件及微电子的表征 | 第15页 |
| ·在无损探伤中的应用 | 第15-16页 |
| ·论文选题的指导思想和研究工作介绍 | 第16-18页 |
| 2 阶跃光激励的半导体光热光偏转技术的理论研究 | 第18-32页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·材料对激光的吸收 | 第18-20页 |
| ·热传导微分方程 | 第20页 |
| ·理论模型 | 第20-27页 |
| ·等离子体波(上升沿) | 第21-22页 |
| ·热波(上升沿) | 第22-23页 |
| ·等离子体波(下降沿) | 第23-26页 |
| ·热波(下降沿) | 第26-27页 |
| ·光束偏转角的计算 | 第27-28页 |
| ·数值计算 | 第28-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 3 阶跃光激励的光热光偏转实验系统 | 第32-40页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·实验系统 | 第32-33页 |
| ·光路部分 | 第33页 |
| ·接收部分 | 第33-37页 |
| ·位置探测器(二象限探测器) | 第33-35页 |
| ·锁相放大器的原理 | 第35-36页 |
| ·数字存储示波器 | 第36-37页 |
| ·机构设计 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 4 实验结果及讨论 | 第40-52页 |
| ·实验装置 | 第40页 |
| ·实验装置的调节 | 第40-41页 |
| ·实验结果与讨论 | 第41-50页 |
| ·激励光波形与相应的光热光偏转信号 | 第41-42页 |
| ·探测光离样品表面的距离对光热光偏转信号的影响 | 第42-44页 |
| ·探测光和激励光的距离对光热光偏转信号的影响 | 第44-46页 |
| ·掺杂浓度不同的半导体对光热光偏转信号的影响 | 第46-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 5 总结与展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
