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基于广义散射矩阵的周期性波导结构的泄漏特性研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第一章 绪论第10-20页
   ·研究背景和意义第10-11页
   ·研究现状及现有的研究方法第11-17页
     ·SIW研究现状第11-13页
     ·漏波天线研究现状第13-14页
     ·左手传输线研究现状第14页
     ·现有研究周期结构的方法第14-17页
   ·本文的主要贡献第17-18页
   ·本文的结构安排第18-20页
第二章 周期性波导理论介绍第20-42页
   ·基片集成波导理论第20-28页
     ·基本结构第20-21页
     ·传播特性第21-26页
     ·损耗特性第26-28页
   ·泄漏波天线理论第28-30页
   ·左手传输线理论第30-32页
     ·传输线等效电路模型和色散特性第30-31页
     ·左手传输线周期结构第31-32页
   ·周期结构分析方法第32-40页
     ·全波分析矩量法第32-34页
     ·BI-RME方法第34-35页
     ·FDFD方法第35-39页
     ·等效模型法第39-40页
   ·本章小结第40-42页
第三章 广义散射矩阵求解方法第42-66页
   ·GSM/FEM方法推导第42-55页
     ·周期性结构第42-44页
     ·广义散射矩阵第44-46页
     ·不连续性和模式分析第46-51页
     ·建立求解模型第51-54页
     ·求解本征模态第54-55页
   ·数值运算结果验证第55-56页
   ·分析影响SIW能量泄漏的参数第56-58页
   ·场型验证第58-61页
   ·与经典文献中测试结果对比第61-63页
   ·本章小结第63-66页
第四章 模式耦合的空间谐波研究第66-82页
   ·SIW的布洛赫空间谐波现象第66-76页
     ·模态之间的耦合第66-72页
     ·复数模区域产生第72-73页
     ·复数模区域特性第73-76页
   ·模式耦合对复数模区域影响第76-78页
   ·场型验证第78-81页
   ·本章小结第81-82页
第五章 基片集成波导的泄漏特性验证第82-98页
   ·使用CMOS工艺实现SIW第82-91页
     ·CMOS结构建模分析第82-83页
     ·馈电网络的选取第83-91页
   ·测试结果第91-97页
     ·太赫兹测试平台第91-93页
     ·去嵌入方法推导第93-94页
     ·太赫兹SIW测量与仿真结果对比第94-97页
   ·本章小结第97-98页
第六章 合成传输线泄漏特性研究第98-110页
   ·EH_1模态泄漏波天线第98-102页
     ·泄漏波天线设计第98-100页
     ·泄漏波EH_1模态特性第100页
     ·泄漏波天线特性第100-102页
   ·基于缺陷地的CRLH-TL泄漏特性研究第102-108页
     ·CRLH-TL周期结构单元第102-104页
     ·由色散曲线观察CRLH-TL泄漏特性第104-106页
     ·由三维场型验证CRLH-TL泄漏特性第106-108页
   ·本章小结第108-110页
第七章 总结与展望第110-112页
   ·本文工作总结第110-111页
   ·下一步工作展望第111-112页
参考文献第112-124页
发表论文和参加科研情况说明第124-126页
致谢第126-127页

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