GaAs基核辐射探测器理论模型及制备工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-11页 |
| 1. 绪论 | 第11-19页 |
| ·论文研究背景 | 第11-12页 |
| ·核辐射探测器简介 | 第12页 |
| ·核辐射探测器的分类 | 第12-16页 |
| ·闪烁体探测器 | 第13页 |
| ·气体探测器 | 第13-14页 |
| ·半导体探测器 | 第14-16页 |
| ·论文研究意义 | 第16-18页 |
| ·论文研究内容 | 第18-19页 |
| 2. Ga As基核辐射探测器性能仿真 | 第19-51页 |
| ·Silvaco TCAD软件介绍 | 第19-25页 |
| ·核辐射探测器电学性能仿真研究 | 第25-37页 |
| ·器件结构设计 | 第25-28页 |
| ·电学仿真参数 | 第28-29页 |
| ·仿真结果及分析 | 第29-37页 |
| ·核辐射探测器 α 粒子辐射仿真研究 | 第37-49页 |
| ·辐射仿真参数 | 第37-39页 |
| ·仿真结果与分析 | 第39-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 3. Ga As基核辐射探测器制备工艺 | 第51-63页 |
| ·Ga As的物理化学性质 | 第51页 |
| ·Ga As生长技术 | 第51-55页 |
| ·Ga As传统生长技术介绍 | 第52-54页 |
| ·金属有机化学气相外延（MOCVD） | 第54-55页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第55页 |
| ·液相外延法(LPE) | 第55页 |
| ·Ga As探测器结构设计及光刻板版图设计 | 第55-57页 |
| ·探测器结构设计 | 第56页 |
| ·光刻板版图设计 | 第56-57页 |
| ·Ga As基核辐射探测器件制备 | 第57-61页 |
| ·光刻工艺 | 第57-59页 |
| ·欧姆接触工艺 | 第59-60页 |
| ·探测器器件制作 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 4. 实验测试结果与分析 | 第63-67页 |
| ·SEM测试 | 第63-64页 |
| ·Ga As基核辐射探测器电学测试 | 第64-66页 |
| ·核辐射探测器核电子学测试 | 第66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 5. 总结与展望 | 第67-69页 |
| ·论文总结 | 第67-68页 |
| ·未来展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 附录 | 第75页 |
