Si薄膜和BFO薄膜阻变存储特性研究
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| abstract | 第7-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-24页 |
| ·半导体存储器与阻变存储器概述 | 第11-16页 |
| ·半导体存储器概述 | 第11-12页 |
| ·阻变存储器概述 | 第12-16页 |
| ·基于硅薄膜的阻变存储器 | 第16-20页 |
| ·硅薄膜概述 | 第16-17页 |
| ·基于硅薄膜的阻变存储器研究概述 | 第17-20页 |
| ·基于钙钛矿氧化物的阻变存储器 | 第20-22页 |
| ·铁酸铋概述 | 第20页 |
| ·基于钙钛矿氧化物的阻变存储器 | 第20-22页 |
| ·论文的研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 基于氢化纳米硅薄膜的阻变特性 | 第24-34页 |
| ·实验方法和过程 | 第24-26页 |
| ·薄膜制备的方法 | 第24-25页 |
| ·实验过程 | 第25-26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-33页 |
| ·nc-Si:H薄膜的微观结构 | 第26-28页 |
| ·nc-Si:H薄膜的阻变特性 | 第28-30页 |
| ·nc-Si:H薄膜的传导机制 | 第30-33页 |
| ·结论 | 第33-34页 |
| 第3章 基于铁酸铋薄膜的小限流下的阻变开关特性 | 第34-41页 |
| ·实验方法和过程 | 第34-35页 |
| ·实验方法 | 第34-35页 |
| ·实验过程 | 第35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-39页 |
| ·小限流下BFO薄膜的阻变特性 | 第35-39页 |
| ·BFO薄膜的阻变机制 | 第39页 |
| ·结论 | 第39-41页 |
| 第4章 基于掺Ag铁酸铋薄膜的阻变开关特性 | 第41-47页 |
| ·实验过程 | 第41-42页 |
| ·掺Ag BFO薄膜的阻变特性 | 第42-45页 |
| ·结论 | 第45-47页 |
| 第5章 不同氧和氩比下铁酸铋薄膜的阻变开关特性 | 第47-51页 |
| ·实验过程 | 第47页 |
| ·不同氧和氩比下BFO薄膜的阻变特性 | 第47-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 结论与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第59页 |
