| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-25页 |
| ·新一代非挥发性存储器 | 第11-17页 |
| ·铁电存储器(FRAM) | 第12-13页 |
| ·磁性存储器(MRAM) | 第13页 |
| ·相变存储器(PCRAM) | 第13-14页 |
| ·阻变存储器(RRAM) | 第14-17页 |
| ·阻变存储器的存储机理 | 第17-22页 |
| ·空间电荷限制电流理论(SCLC) | 第18-19页 |
| ·导电细丝机制(Filament) | 第19-20页 |
| ·跳跃电导(Hopping) | 第20-21页 |
| ·肖特基发射效应 | 第21-22页 |
| ·Fowler-Nordheim(F-N)隧穿 | 第22页 |
| ·铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)薄膜 | 第22-23页 |
| ·论文的研究内容及意义 | 第23-25页 |
| 第2章 α-IGZO/SrTiO3/α-IGZO双极型透明阻变存储器 | 第25-34页 |
| ·实验方法及步骤 | 第25-27页 |
| ·制备薄膜的方法 | 第25-27页 |
| ·实验过程 | 第27页 |
| ·实验结果与讨论 | 第27-33页 |
| ·α-IGZO/STO/α-IGZO透明阻变存储器的光学特性 | 第27-28页 |
| ·薄膜的结构表征 | 第28-29页 |
| ·α-IGZO/STO/α-IGZO透明阻变存储器的电学特性 | 第29-30页 |
| ·α-IGZO/STO/α-IGZO透明阻变存储器的导电机制 | 第30-33页 |
| ·实验结论 | 第33-34页 |
| 第3章 高透明度的α-IGZO/Ga2O3/α-IGZO阻变存储器 | 第34-43页 |
| ·实验制备过程 | 第34-35页 |
| ·实验结果与讨论 | 第35-42页 |
| ·IGZO/Ga2O3/IGZO器件的结构和光学特性 | 第35-37页 |
| ·IGZO/Ga2O3/IGZO器件的电学特性 | 第37-39页 |
| ·IGZO/Ga2O3/IGZO器件的存储机制 | 第39-42页 |
| ·实验结果 | 第42-43页 |
| 第4章 具有自整流特性的Ag/In-Ga-Zn-O/Pt阻变存储器 | 第43-50页 |
| ·实验的制备工艺 | 第43页 |
| ·实验的结果与讨论 | 第43-49页 |
| ·Ag/In-Ga-Zn-O/Pt阻变存储器的电学特性 | 第43-46页 |
| ·Ag/In-Ga-Zn-O/Pt阻变存储器的存储机制 | 第46-49页 |
| ·实验结论 | 第49-50页 |
| 结论与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第58页 |
