ZnO薄膜和ZnO紫外探测器
| 第一章 文献综述 | 第1-24页 |
| 1．1 引言 | 第7-8页 |
| 1．2 ZnO的性质 | 第8-15页 |
| 1．21 ZnO的优缺点 | 第8-9页 |
| 1．22 ZnO薄膜的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1．23 ZnO薄膜的光学和电学性能 | 第10-12页 |
| 1．24 ZnO薄膜的掺杂 | 第12-15页 |
| 1．3 ZnO薄膜的制备技术 | 第15-24页 |
| 1．31 磁控溅射 | 第15-16页 |
| 1．32 离子束溅射和电子束蒸发 | 第16-17页 |
| 1．33 脉冲激光沉积（PLD） | 第17-18页 |
| 1．34 金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第18-19页 |
| 1．35 分子束外延（MBE）技术 | 第19-24页 |
| 第二章 直流反应磁控溅射原理 | 第24-30页 |
| 2．1 辉光放电原理 | 第24-25页 |
| 2．2 溅射粒子的能量 | 第25-27页 |
| 2．3 磁控溅射原理 | 第27-29页 |
| 2．4 反应磁控溅射 | 第29-30页 |
| 第三章 反应磁控溅射制备氧化锌薄膜 | 第30-33页 |
| 3．1 S—Gun直流反应磁控溅射系统 | 第30-31页 |
| 3．2 ZnO薄膜的衬底清洗 | 第31-32页 |
| 3．3 ZnO薄膜的生长条件 | 第32-33页 |
| 第四章 氧化锌薄膜的性能测试 | 第33-49页 |
| 4．1 生长条件对ZnO薄膜结晶质量的影响 | 第33-39页 |
| 4．11 衬底温度对ZnO薄膜的影响 | 第33-36页 |
| 4．12 溅射功率对ZnO薄膜晶体质量的影响 | 第36-39页 |
| 4．2 NH_3/O_2溅射对ZnO薄膜的影响 | 第39-45页 |
| 4．3 ZnO薄膜的表面性质 | 第45-46页 |
| 4．4 ZnO薄膜的柱状结构 | 第46-49页 |
| 第五章 退火对氧化锌薄膜的影响 | 第49-58页 |
| 5．1 退火对ZnO薄膜晶格应力的影响 | 第49-56页 |
| 5．2 退火对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第56-58页 |
| 第六章 氧化锌/金属欧姆接触和氧化锌紫外探测器 | 第58-66页 |
| 6．1 探测器的原理 | 第58-60页 |
| 6．2 ZnO/Al欧姆接触和紫外探测器 | 第60-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
