| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·半导体激光器的发展与应用 | 第12-18页 |
| ·高功率半导体激光器腔面薄膜的发展 | 第18-20页 |
| ·ZnO薄膜的研究现状及作为腔面膜的应用分析 | 第20-22页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 半导体激光器的腔面特性分析及腔面膜光学 | 第23-47页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·半导体激光器腔面的表面态分析 | 第23-30页 |
| ·半导体表面等离子体清洗技术 | 第30-35页 |
| ·半导体激光器腔面膜的基本理论 | 第35-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 等离子体处理对GaAs表面性质的影响 | 第47-67页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·辉光放电等离子体的产生 | 第47页 |
| ·氩等离子体清洗GaAs表面分析 | 第47-57页 |
| ·氢等离子体清洗GaAs表面分析 | 第57-60页 |
| ·氩、氢混合等离子体清洗GaAs表面分析 | 第60-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 ZnO钝化膜的制备及表征 | 第67-83页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·ZnO的基本特性 | 第67-69页 |
| ·磁控溅射法制备ZnO薄膜及其性能表征 | 第69-78页 |
| ·ZnO薄膜对GaAs表面的钝化作用 | 第78-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 808nm半导体激光器腔面薄膜的制备工艺及性能测试 | 第83-96页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·高功率半导体激光器结构及制备工艺 | 第83-88页 |
| ·808nm高功率半导体激光器腔面膜的制备 | 第88-94页 |
| ·半导体激光器的测试及分析 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 结论 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-104页 |
| 攻读博士学位期间已发表的论文及其它成果 | 第104-105页 |