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半导体纳米结构磁性的第一原理计算

摘要第1-7页
Abstract第7-16页
第1章 绪论第16-30页
   ·自旋电子学第16-17页
     ·自旋电子学的研究现状和进展第16页
     ·自旋电子学的应用前景第16-17页
   ·稀磁半导体第17-23页
     ·稀磁半导体材料研究进展第18-20页
     ·稀磁半导体磁性的微观起源第20-22页
     ·常用的稀磁半导体的制备方法第22-23页
   ·半导体纳米材料第23-27页
     ·纳米材料的定义和应用前景第23-26页
     ·半导体纳米材料的基本性质第26-27页
   ·本文的研究背景和研究内容第27-30页
第2章 电子结构的基本理论与计算方法第30-47页
   ·能带理论的一些基本近似第30-34页
     ·绝热近似第30-31页
     ·Hartree-Fock 近似第31-33页
     ·周期场近似第33-34页
   ·密度泛函理论基础第34-37页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第34-36页
     ·Kohn-Sham 方程第36-37页
   ·交换关联泛函第37-41页
     ·局域密度近似(LDA)第38-39页
     ·广义梯度近似(GGA)第39-40页
     ·轨道泛函第40页
     ·杂化泛函第40-41页
   ·计算软件第41-47页
     ·基组和赝势第41-44页
     ·常用计算软件介绍第44-47页
第3章 阳离子空位诱导 GaN 中的巨磁矩第47-58页
   ·引言第47-48页
   ·理论计算方法第48-49页
   ·计算结果和讨论第49-57页
     ·GaN 晶体中本征缺陷的形成能和缺陷组合的结合能第49-51页
     ·GaN 晶体中 N 间隙的磁特性第51-54页
     ·Si 杂质对 GaN 掺杂体系的磁性的影响第54-56页
     ·GaN 纳米薄膜中的 Ga 空位缺陷第56-57页
   ·本章小结第57-58页
第4章 镁掺杂钝化的氮化铝纳米线磁性的第一性原理研究第58-68页
   ·引言第58-59页
   ·计算方法和结构模型第59-60页
     ·计算软件及基本参数设置第59页
     ·AlN 纳米线结构模型第59-60页
   ·计算结果和讨论第60-67页
     ·裸 AlN 纳米线的表面态第60-61页
     ·单个 Mg 原子掺杂 AlN 纳米线第61-64页
     ·两个 Mg 原子掺杂钝化的 AlN 纳米线的磁耦合第64-67页
   ·本章小结第67-68页
第5章 边界修饰对 SiC 纳米条带的磁性的影响第68-77页
   ·引言第68-69页
   ·SiC 纳米条带模型和理论计算方法第69-70页
   ·计算结果和讨论第70-75页
     ·单侧边界被钝化的 SiC 纳米条带的自旋组合态和能量第70-73页
     ·单侧边界被钝化的 SiC 纳米条带的自旋分布和磁性起源第73-75页
   ·本章小结第75-77页
第6章 浅施主能级增强 In_2O_3:Co 纳米晶的磁性第77-87页
   ·引言第77-79页
   ·理论计算方法和钝化的纳米晶模型第79-80页
   ·理论计算结果和讨论第80-86页
     ·Co 掺杂的钝化的 In_2O_3纳米晶第80-81页
     ·载流子和浅施主原子共掺钝化的 In_2O_3掺 Co 纳米晶第81-82页
     ·浅施主杂质增强钝化的 In_2O_3掺 Co 纳米晶的微观本质第82-83页
     ·浅施主杂质增强钝化的 In_2O_3掺 Co 纳米晶的能级耦合第83-86页
   ·本章小结第86-87页
第7章 载流子控制三层钆酞菁分子的磁耦合第87-95页
   ·引言第87-88页
   ·三层钆酞菁模型和计算方法第88-89页
   ·计算结果和讨论第89-94页
     ·三层钆酞菁分子的能量和成键第89-90页
     ·附加载流子对三层钆酞菁磁耦合的影响第90-94页
   ·本章小结第94-95页
结论与展望第95-97页
参考文献第97-114页
附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录第114-115页
致谢第115页

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