| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-31页 |
| ·引言 | 第15-18页 |
| ·纳米材料的发展历史 | 第15-16页 |
| ·纳米材料的性能 | 第16-18页 |
| ·金属硫化物纳米材料简介 | 第18-20页 |
| ·金属硫族化物纳米材料的合成方法 | 第20-26页 |
| ·气相法 | 第20-21页 |
| ·液相法 | 第21-23页 |
| ·模板法 | 第23-25页 |
| ·高温分解法 | 第25-26页 |
| ·金属硫族化物纳米材料的应用 | 第26-29页 |
| ·生物医学 | 第26页 |
| ·锂离子电池 | 第26-27页 |
| ·多元化合物薄膜太阳能电池 | 第27-28页 |
| ·传感器 | 第28-29页 |
| ·本课题的研究背景及意义、目的和内容 | 第29-31页 |
| 第2章 几种不同组份的Cu_2 S-Bi_2S_3纳米结构的可控制备及其微结构的研究 | 第31-40页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验部分 | 第31-32页 |
| ·样品合成 | 第31-32页 |
| ·样品表征 | 第32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-39页 |
| ·样品的形貌与微结构分析 | 第32-38页 |
| ·样品的带隙 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 级次结构Cu_3 BiS_3纳米花的制备及电化学性能研究 | 第40-49页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·实验部分 | 第41-42页 |
| ·Cu_3 BiS 3纳米花的合成 | 第41页 |
| ·Cu_3 BiS 3纳米花的表征 | 第41-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-48页 |
| ·Cu_3 BiS 3纳米花的XRD与EDX | 第42页 |
| ·Cu_3 BiS 3纳米花的形貌与微结构 | 第42-43页 |
| ·Cu_3 BiS 3纳米花的生长机理 | 第43-45页 |
| ·Cu_3 BiS 3纳米花的反射光谱与带隙 | 第45-46页 |
| ·Cu_3 BiS 3纳米花的孔径分析 | 第46-47页 |
| ·Cu_3 BiS 3纳米花的电化学性能 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 溶剂热法合成Cu_2 ZnSnS 4纳米颗粒及光伏性能研究 | 第49-57页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·实验过程 | 第50-51页 |
| ·实验试剂以及样品的合成 | 第50页 |
| ·样品的分析及检测设备 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-56页 |
| ·Cu_2 ZnSnS 4纳米颗粒成份及微结构分析 | 第51-52页 |
| ·Cu_2 ZnSnS 4纳米颗粒的紫外-可见吸收光谱 | 第52-53页 |
| ·Cu_2 ZnSnS 4纳米颗粒的表面光电压 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 原位焦耳热方法在Au-ZnSe纳米线接触处的阴极控制合金化处理 | 第57-64页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·实验过程 | 第57-58页 |
| ·ZnSe纳米线的生长 | 第57-58页 |
| ·ZnSe-Au接触的形成以及性能测定 | 第58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-63页 |
| ·通过原位焦耳热的可控界面反应 | 第58-61页 |
| ·通过原位焦耳热反应后界面微结构分析 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第6章 应变后ZnSe纳米线电荷输运能力的增强 | 第64-77页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·实验 | 第65页 |
| ·纳米线的制备 | 第65页 |
| ·实验设备 | 第65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-75页 |
| ·在纳米线的选定区域可控的引入应变 | 第65-68页 |
| ·应变后ZnSe纳米线中电流输运能力的增强 | 第68-71页 |
| ·应变对能带的影响 | 第71-75页 |
| ·应变对热导率的影响 | 第75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 结论与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-95页 |
| 附录 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
