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TD-LTE基带芯片验证系统信号完整性研究

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
目录第6-8页
1 绪论第8-12页
   ·课题的研究背景及意义第8-10页
   ·课题的国内外研究现状第10-11页
   ·论文的主要内容及章节安排第11-12页
2 TD-LTE基带芯片验证平台第12-20页
   ·TD-LTE基带芯片基本架构第12-13页
   ·TD-LTE基带芯片验证平台介绍第13-19页
     ·验证平台设计需求分析第13-14页
     ·主要功能模块介绍第14-19页
   ·本章小结第19-20页
3 高速PCB的信号完整性分析第20-49页
   ·信号完整性概述第20页
   ·信号完整性基本原理及研究方法第20-38页
     ·传输线及其特性阻抗第20-22页
     ·趋肤效应第22-24页
     ·信号反射第24-35页
     ·信号间串扰第35-38页
   ·IBIS模型第38-48页
     ·IBIS模型的提出及发展第41-42页
     ·IBIS模型的构成第42-47页
     ·IBIS模型的验证及应用第47-48页
   ·本章小结第48-49页
4 验证平台的信号完整性仿真第49-65页
   ·仿真前的准备第49-51页
   ·高速信号走线的仿真分析第51-64页
     ·单板SI仿真研究第51-59页
     ·板间SI仿真研究第59-64页
   ·本章小结第64-65页
5 总结与展望第65-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-70页

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