氮和氢离子注入单晶硅引起的损伤研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·SOI材料与Smart-cut技术及应用 | 第8-11页 |
| ·SOI材料与制备方法 | 第8-9页 |
| ·Smart-cut技术工艺流程 | 第9-10页 |
| ·SOI技术发展趋势和面临的问题 | 第10-11页 |
| ·气体离子注入硅基材料的研究进展 | 第11-15页 |
| ·H离子注入硅基材料的研究进展 | 第11-13页 |
| ·N离子注入硅基材料的研究进展 | 第13-15页 |
| ·两层损伤现象与{311}缺陷研究进展 | 第15-17页 |
| ·本论文的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验过程与基本原理 | 第18-33页 |
| ·离子注入基本物理过程简介 | 第18-24页 |
| ·能量损失机制 | 第18-19页 |
| ·射程分布和浓度分布 | 第19-21页 |
| ·注入损伤与修复 | 第21-23页 |
| ·离子注入机 | 第23页 |
| ·SRIM程序简介 | 第23-24页 |
| ·样品的离子注入与退火 | 第24-26页 |
| ·测试手段及基本原理简介 | 第26-33页 |
| ·光学显微镜（OM） | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第27页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第27-29页 |
| ·正电子湮灭技术（PAS） | 第29-31页 |
| ·共聚焦显微拉曼谱（DXRRSS） | 第31-33页 |
| 第三章 氮氢离子联合注入单晶硅的表面损伤与分析 | 第33-47页 |
| ·OM观测结果 | 第33-35页 |
| ·AFM观测结果 | 第35-36页 |
| ·TEM 观测结果与分析 | 第36-39页 |
| ·PAS结果与分析 | 第39-41页 |
| ·RSS结果与分析 | 第41-43页 |
| ·N和H联合注入Si表面损伤机制分析 | 第43-45页 |
| ·本章结论 | 第45-47页 |
| 第四章 氮和氢离子注入硅的双层损伤现象与成因分析 | 第47-59页 |
| ·双层损伤TEM观测结果 | 第47-53页 |
| ·两种样品双层损伤的总体形貌比较 | 第47-48页 |
| ·两种样品每层损伤的内部结构 | 第48-53页 |
| ·两种样品中两层损伤的情况比较 | 第53页 |
| ·双层损伤的成因讨论 | 第53-58页 |
| ·应力作用 | 第54-56页 |
| ·临界非晶化状态促进作用 | 第56-57页 |
| ·氧沉淀成核过程促进作用 | 第57-58页 |
| ·本章结论 | 第58-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
