Ce:YVO4晶体的生长及其电荷迁移发光的研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·钒酸钇晶体的基本性质 | 第8-9页 |
| ·稀土掺杂钒酸钇晶体的发展和应用 | 第9-11页 |
| ·稀土铈离子的发光特性和铈掺杂晶体的发展 | 第11-14页 |
| ·本文研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 晶体生长理论概述 | 第16-33页 |
| ·晶体结构与性质 | 第16页 |
| ·晶体生长的基本过程 | 第16-17页 |
| ·晶体生长机理 | 第17-20页 |
| ·连续长大生长机理 | 第18页 |
| ·成核生长机理 | 第18-19页 |
| ·二维成核 | 第18-19页 |
| ·三维成核 | 第19页 |
| ·螺型位错控制机理 | 第19-20页 |
| ·晶体生长理论模型发展 | 第20-27页 |
| ·晶体平衡态理论模型 | 第20-22页 |
| ·Bravais 法则 | 第20-21页 |
| ·Gibbs-Wulff 晶体生长定律 | 第21-22页 |
| ·Donnay-Harker 原理 | 第22页 |
| ·Frank 运动学理论 | 第22页 |
| ·晶体界面生长理论模型 | 第22-24页 |
| ·完整光滑突变界面模型(Kossel 模型) | 第22-23页 |
| ·非完整光滑突变界面模型(Frank 模型) | 第23页 |
| ·粗糙化相变理论 | 第23页 |
| ·粗糙突变界面模型(Jackson 模型) | 第23-24页 |
| ·弥散界面模型(Temkin 模型) | 第24页 |
| ·周期性键理论模型（PBC 理论模型） | 第24-25页 |
| ·负离子配位多面体生长基元理论模型 | 第25-26页 |
| ·界面相理论模型 | 第26-27页 |
| ·晶体生长方法分类 | 第27-33页 |
| ·溶液生长法 | 第27-29页 |
| ·降温法 | 第27-28页 |
| ·恒温蒸发法 | 第28页 |
| ·温差水热法 | 第28-29页 |
| ·熔体生长法 | 第29-33页 |
| ·提拉法 | 第29-30页 |
| ·坩埚下降法 | 第30-31页 |
| ·焰熔法 | 第31页 |
| ·光学浮区法 | 第31页 |
| ·泡生法 | 第31-33页 |
| 第三章 Ce:YVO_4晶体的生长及其缺陷的研究 | 第33-45页 |
| ·提拉法生长 Ce:YVO_4晶体 | 第33-40页 |
| ·晶体生长装置 | 第33页 |
| ·提拉法生长 Ce:YVO_4晶体的过程 | 第33-35页 |
| ·下籽晶 | 第33-34页 |
| ·晶体生长的放肩阶段 | 第34-35页 |
| ·等径生长 | 第35页 |
| ·降温冷却 | 第35页 |
| ·提拉法生长 Ce:YVO_4晶体的生长参数 | 第35-40页 |
| ·拉速的影响 | 第36页 |
| ·晶体转速影响 | 第36-37页 |
| ·温场的影响 | 第37-38页 |
| ·组分过冷的影响 | 第38-40页 |
| ·Ce:YVO_4晶体的缺陷分析 | 第40-45页 |
| ·晶体开裂 | 第40-42页 |
| ·应力对晶体开裂的影响 | 第40-41页 |
| ·冷却速率对晶体开裂的影响 | 第41-42页 |
| ·晶体色心 | 第42-43页 |
| ·散射颗粒 | 第43-45页 |
| 第四章 Ce:YVO_4晶体的发光性能 | 第45-54页 |
| ·Ce:YVO_4晶体的制备与表征 | 第45-47页 |
| ·Ce:YVO_4晶体的光谱分析 | 第47-52页 |
| ·Ce:YVO_4晶体的电子跃迁发光 | 第47-48页 |
| ·铈元素的电荷迁移发光 | 第48-52页 |
| ·Sr_2CeO_4的电荷迁移发光 | 第49-50页 |
| ·Ce:YVO_4晶体的电荷迁移发光 | 第50-52页 |
| ·铈的价态分析 | 第52-54页 |
| 第五章 总结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
