| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的概念和分类 | 第14-15页 |
| ·纳米材料的定义 | 第14-15页 |
| ·纳米材料的分类 | 第15页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第15-17页 |
| ·表面效应 | 第15页 |
| ·界面效应 | 第15页 |
| ·小尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·量子尺寸效应 | 第16页 |
| ·宏观量子遂穿效应 | 第16页 |
| ·介电限域效应 | 第16-17页 |
| ·GaN和Ga_2O_3纳米材料制备相关的制备方法 | 第17-21页 |
| ·纳米线的制备方法 | 第17-19页 |
| ·模板辅助设备 | 第17-18页 |
| ·催化剂辅助气相反应 | 第18页 |
| ·两步过程合成方法 | 第18-19页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第19页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第19-20页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE)法 | 第20-21页 |
| ·金属有机物气相外延(MOVPE)法 | 第21页 |
| ·纳米材料的主要生长机理 | 第21-25页 |
| ·气-液-固(vapor-liquid-solid,V-L-S)生长机理 | 第21-22页 |
| ·气-固(VS)生长机理 | 第22-23页 |
| ·固-液-固(solid-liquid-solid,SLS)生长机理 | 第23页 |
| ·溶液-液相-固相(solution-liquid-solid,SLS)生长机理 | 第23-24页 |
| ·氧化物辅助生长机理 | 第24-25页 |
| ·纳米材料在各领域中的应用 | 第25-26页 |
| ·催化领域 | 第25页 |
| ·光电转换领域 | 第25页 |
| ·陶瓷领域 | 第25-26页 |
| ·磁学领域 | 第26页 |
| ·传感器领域 | 第26页 |
| ·生物医学领域 | 第26页 |
| ·本研究的目的、意义和内容 | 第26-29页 |
| 第2章 实验方法 | 第29-39页 |
| ·实验设备 | 第29-30页 |
| ·实验材料 | 第30页 |
| ·实验原料 | 第30页 |
| ·实验试剂 | 第30页 |
| ·基底 | 第30页 |
| ·制备方法 | 第30-33页 |
| ·硅片的清洗 | 第30-31页 |
| ·反应腔体清理 | 第31页 |
| ·装炉 | 第31页 |
| ·清洗炉管 | 第31页 |
| ·炉子升温 | 第31-32页 |
| ·制备过程中气路系统操作 | 第32页 |
| ·观测反应现象并认真记录每个细节 | 第32页 |
| ·关闭系统操作 | 第32页 |
| ·取样品 | 第32-33页 |
| ·制备样品的表征方法 | 第33-39页 |
| ·扫描电镜 | 第33-34页 |
| ·透射电镜 | 第34页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第34-35页 |
| ·X-射线光电子能谱 | 第35-36页 |
| ·电子背散射衍射 | 第36-37页 |
| ·光致发光谱 | 第37-39页 |
| 第3章 GaN纳米材料的制备及其生长机理 | 第39-61页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·实验原理 | 第40-41页 |
| ·GaN纳米线的制备及生长机理的研究 | 第41-49页 |
| ·实验工艺条件的研究 | 第41-46页 |
| ·NH_3与Ar的气体流量比对实验的影响 | 第42-44页 |
| ·Si基底的位置对实验的影响 | 第44-46页 |
| ·生长机理的探讨 | 第46-49页 |
| ·GaN薄膜的制备及生长机理的研究 | 第49-55页 |
| ·常规热蒸发法 | 第49-50页 |
| ·实验条件 | 第49页 |
| ·实验结果与分析 | 第49-50页 |
| ·升华夹心法(Sublimation sandwich method,SSM) | 第50-54页 |
| ·实验条件 | 第51页 |
| ·实验结果与分析 | 第51-54页 |
| ·GaN薄膜生长机理的探究 | 第54-55页 |
| ·Zn粉为辅助剂制备GaN及光学性能的研究 | 第55-58页 |
| ·实验条件 | 第55页 |
| ·实验结果与讨论 | 第55-58页 |
| ·反应源产物粉末的XRD衍射分析 | 第55-56页 |
| ·Si基底上产物的形貌与XRD衍射分析 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 第4章 Ga_2O_3纳米材料的制备及其生长机制 | 第61-77页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·Ga_2O_3薄膜制备工艺最佳参数的确定与表征 | 第62-69页 |
| ·实验原理 | 第62-63页 |
| ·H_2通入量对实验的影响 | 第63-65页 |
| ·实验内容 | 第63页 |
| ·实验结果与讨论分析 | 第63-65页 |
| ·N_2通入量对实验的影响 | 第65-67页 |
| ·实验内容 | 第65-66页 |
| ·实验结果与讨论分析 | 第66-67页 |
| ·Si基体放置位置对实验影响 | 第67-69页 |
| ·实验内容 | 第67页 |
| ·实验结果与讨论分析 | 第67-69页 |
| ·新颖Ga_2O_3纳米材料的制备与生长机理的研究 | 第69-76页 |
| ·实验条件 | 第69-70页 |
| ·样品的制备 | 第69页 |
| ·样品的表征测试 | 第69-70页 |
| ·实验结果分析 | 第70-75页 |
| ·XRD衍射分析 | 第70页 |
| ·X-射线能电子能谱(EDS)分析 | 第70页 |
| ·扫描电镜分析 | 第70-74页 |
| ·透射电镜(TEM)分析 | 第74-75页 |
| ·生长机理的研究 | 第75-76页 |
| ·生长过程 | 第75页 |
| ·生长机理 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第5章 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
