| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·等离子体的分类 | 第12-13页 |
| ·等离子体技术的应用领域 | 第13页 |
| ·低温等离子体技术在半导体工业中的应用 | 第13-15页 |
| ·常用的几种低温等离子体源 | 第15-19页 |
| ·容性耦合放电的发展与研究现状 | 第19-25页 |
| ·本文的研究内容 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-34页 |
| 第二章 等离子体诊断及分析方法 | 第34-60页 |
| ·静电探针 | 第34-39页 |
| ·探针的使用条件及工作原理 | 第35-38页 |
| ·实验用Langmuir 探针 | 第38-39页 |
| ·双探针 | 第39-43页 |
| ·双探针工作原理 | 第40-41页 |
| ·实验用双探针 | 第41-43页 |
| ·等离子体中的辐射与光学诊断方法 | 第43-47页 |
| ·等离子体中的辐射 | 第43-44页 |
| ·光谱谱线的展宽与线型 | 第44页 |
| ·等离子体发射光谱的应用 | 第44-46页 |
| ·发射光谱仪 | 第46-47页 |
| ·双原子分子的结构与光谱 | 第47-55页 |
| ·双原子分子的转动及转动光谱 | 第48-49页 |
| ·双原子分子的振动及振动光谱 | 第49-51页 |
| ·振动转子 | 第51-53页 |
| ·双原子分子的电子态及电子光谱 | 第53-55页 |
| ·转动光谱的强度与温度拟合 | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第三章 Ar 的碰撞辐射模型应用于单频容性耦合等离子体的电子密度与温度的诊断 | 第60-86页 |
| ·碰撞辐射模型 | 第60-74页 |
| ·模型中能级的选取 | 第62-64页 |
| ·原子中电子的耦合方式，选择定则 | 第64-65页 |
| ·氩原子的光谱标记 | 第65-68页 |
| ·电子碰撞速率常数的计算 | 第68-69页 |
| ·碰撞截面 | 第69-70页 |
| ·有效能级的自发辐射系数 | 第70-71页 |
| ·逃逸因子 | 第71-72页 |
| ·平衡方程 | 第72-74页 |
| ·实验设置 | 第74-75页 |
| ·模型讨论与分析 | 第75-81页 |
| ·模型与探针诊断的比较与分析 | 第81-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第四章 氩气的单、双频激发的容性放电诊断实验研究 | 第86-108页 |
| ·单频放电中电子温度、密度随放电参数的变化 | 第87-91页 |
| ·不同频率组合的双频放电 | 第91-102页 |
| ·实验设置 | 第91-92页 |
| ·电子温度随放电参数的变化 | 第92-94页 |
| ·电子密度随放电参数的变化 | 第94-96页 |
| ·谱线强度随放电参数的变化 | 第96-98页 |
| ·探针与光谱结果的比较及分析 | 第98-102页 |
| ·气压对双频放电的影响 | 第102-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 第五章 氮气的双频容性放电诊断研究 | 第108-124页 |
| ·实验设置 | 第108-109页 |
| ·谱线强度随放电参数的变化 | 第109-111页 |
| ·电子密度、温度随放电参数的变化 | 第111-113页 |
| ·N_2~+(B)离子激发机理的讨论 | 第113-117页 |
| ·氮气分子和离子的转动温度 | 第117-119页 |
| ·本章小结 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-124页 |
| 第六章 结论与展望 | 第124-127页 |
| ·结论 | 第124-125页 |
| ·展望 | 第125-127页 |
| 创新性说明 | 第127-128页 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第128-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |