| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| §1.1 KNbO_3晶体物理性质、应用及存在问题 | 第12-14页 |
| ·KNbO_3晶体基本物理性质 | 第12-13页 |
| ·KNbO_3晶体的应用与存在问题 | 第13-14页 |
| §1.2 KNbO_3陶瓷的研究现状 | 第14-15页 |
| §1.3 KNbO_3薄膜制备概述 | 第15-20页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| ·KN薄膜的制备现状 | 第19-20页 |
| §1.4 本论文的提出、研究内容及主要创新点 | 第20-22页 |
| 第二章 脉冲激光沉积技术简介 | 第22-31页 |
| §2.1 PLD薄膜实验系统概述 | 第22-23页 |
| §2.2 PLD物理过程 | 第23-27页 |
| §2.3 PLD技术的应用 | 第27-31页 |
| ·PLD控制参数 | 第27-28页 |
| ·PLD技术特点与应用领域 | 第28-31页 |
| 第三章 Li掺杂KN陶瓷的制备及其介电性能研究 | 第31-50页 |
| §3.1 引言 | 第31页 |
| §3.2 实验与测试 | 第31-34页 |
| ·实验原料与工艺 | 第31-32页 |
| ·测试方法与原理 | 第32-34页 |
| §3.3 Li掺杂KN陶瓷的制备 | 第34-44页 |
| ·Li掺杂KN陶瓷粉体的合成 | 第34-37页 |
| ·Li掺杂KN陶瓷的烧结 | 第37-44页 |
| §3.4 Li掺杂KN陶瓷的介电性能 | 第44-49页 |
| ·Li掺杂KN陶瓷的室温介电性能 | 第44-46页 |
| ·Li掺杂KN陶瓷的介电性能随温度的变化 | 第46-49页 |
| §3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 Li掺杂KN薄膜的脉冲激光沉积及成分控制 | 第50-68页 |
| §4.1 引言 | 第50页 |
| §4.2 实验与测试 | 第50-52页 |
| ·实验过程 | 第50-52页 |
| ·测试 | 第52页 |
| §4.3 Li掺杂KN薄膜的脉冲激光沉积 | 第52-59页 |
| ·基底类型对生长KN薄膜的影响 | 第52-53页 |
| ·基底温度对生长KN薄膜的影响 | 第53-54页 |
| ·靶材基底间距对生长KN薄膜的影响 | 第54-55页 |
| ·激光能量对生长KN薄膜的影响 | 第55-57页 |
| ·氧压对生长KN薄膜的影响 | 第57-59页 |
| §4.4 KN薄膜的成分控制 | 第59-67页 |
| ·KN薄膜成分缺K的机理 | 第59-62页 |
| ·KN薄膜的成分控制 | 第62-67页 |
| §4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论与展望 | 第68-70页 |
| §5.1 结论 | 第68-69页 |
| §5.2 展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |