| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·CC 集成器件研究的发展及其现状 | 第9-13页 |
| ·世界集成电路的发展 | 第10-11页 |
| ·CC 研究的发展及现状 | 第11-13页 |
| ·本文的课题来源、研究意义、内容和结构安排 | 第13-15页 |
| ·课题来源、研究意义和内容 | 第13-15页 |
| ·结构安排 | 第15页 |
| ·本文的创新性工作 | 第15-17页 |
| 第二章 BJT 和 MOS 晶体管模型 | 第17-23页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·BJT 模型 | 第17-18页 |
| ·MOS 模型 | 第18-23页 |
| ·MOS 晶体管大信号模型 | 第18-20页 |
| ·小信号模型 | 第20页 |
| ·MOS晶体管PSPICE模型 | 第20-23页 |
| 第三章 电流模式电路与 | 第23-35页 |
| ·电流模式电路 | 第23-26页 |
| ·电压模式电路 | 第23页 |
| ·电流模式电路 | 第23-26页 |
| ·Current Conveyer | 第26-35页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·从第Ⅰ代到第Ⅲ代Current Conveyer的研究 | 第26-28页 |
| ·MOCCII | 第28页 |
| ·电流传输器的应用 | 第28-35页 |
| 第四章 MOCCII 及其高频特性研究 | 第35-43页 |
| ·MOCCII | 第35-39页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实现电路及其特性曲线 | 第36-39页 |
| ·高频特性研究 | 第39-41页 |
| ·CCII 的非理想特性 | 第39页 |
| ·CMOS MOCCII 非理想特性 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第五章 CMOS MOCCII 的高频补偿 | 第43-58页 |
| ·CCII 的高频补偿 | 第43-45页 |
| ·CCII 的无源补偿 | 第43-44页 |
| ·CCII 的有源补偿 | 第44-45页 |
| ·MOCCII 的高频补偿 | 第45-57页 |
| ·电流传输端的补偿 | 第45-49页 |
| ·电压传输端的补偿 | 第49-56页 |
| ·补偿效果验证 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第六章 高频补偿后 CMOS MOCCII 的流片 | 第58-66页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·参与流片项目的改进后 MOCCII 模块 | 第58-60页 |
| ·改进后 MOCCII 模块 | 第58-59页 |
| ·Hspice 仿真 | 第59-60页 |
| ·芯片的版图设计 | 第60-65页 |
| ·基本 MOS 半导体制造工艺简介 | 第60-61页 |
| ·版图设计规则简述 | 第61-62页 |
| ·版图设计 | 第62-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 总结与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 附录A（攻读学位期间发表论文目录） | 第72-73页 |
| 附录B 流片电路的HSPICE 仿真程序 | 第73-74页 |