摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
目录 | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第7-14页 |
§1.1 高功率半导体激光器研究进展 | 第7-9页 |
§1.2 半导体激光放大器概述 | 第9-11页 |
§1.3 近衍射极限光束质量高功率锥形半导体激光器研究概况 | 第11-13页 |
§1.4 本论文的主要工作 | 第13-14页 |
第二章 锥形半导体激光器理论分析 | 第14-34页 |
§2.1 锥形半导体激光器结构分析 | 第14页 |
§2.2 锥形半导体激光器材料外延结构分析 | 第14-16页 |
§2.3 锥形腔半导体激光器的理论模型 | 第16-24页 |
§2.4 数值计算结果 | 第24-33页 |
§2.5 本章小结 | 第33-34页 |
第三章 锥形半导体激光器的制作 | 第34-43页 |
§3.1 锥形半导体激光器的结构 | 第34-35页 |
§3.2 制作锥形半导体激光器材料的外延结构 | 第35-36页 |
§3.3 锥形半导体激光器制作工艺 | 第36-38页 |
§3.4 锥形半导体激光器的器件特性 | 第38-42页 |
§3.5 本章小结 | 第42-43页 |
第四章 锥形半导体激光器光束质量的评价 | 第43-57页 |
§4.1 M~2因子 | 第43-46页 |
§4.2 近场和远场的测量 | 第46-49页 |
§4.3 M~2因子的测量与计算原理 | 第49-52页 |
§4.4 M~2因子测量结果 | 第52-56页 |
§4.5 本章小结 | 第56-57页 |
总结 | 第57-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-62页 |