850nm高亮度半导体激光器腔面膜的设计与制备
摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
目录 | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第7-9页 |
§1.1 引言 | 第7页 |
§1.2 高亮度半导体激光器面临的主要问题 | 第7-8页 |
§1.3 论文研究目的和内容 | 第8-9页 |
第二章 半导体激光器的物理基础及基本结构 | 第9-18页 |
§2.1 光的自发发射、受激发射与受激吸收 | 第9-13页 |
§2.2 激光器的发光原理 | 第13-15页 |
·粒子数反转及其能级系统 | 第13-15页 |
·激光器运转的物理过程 | 第15页 |
§2.3 激光器的基本结构 | 第15-18页 |
·光学谐振腔的作用 | 第16页 |
·光学谐振腔中的腔面膜 | 第16-18页 |
第三章 腔面膜反射率数值优化 | 第18-27页 |
§3.1 灾变性光学损伤以及几种克服方法 | 第18-19页 |
·灾变性光学损伤 | 第18页 |
·克服光学灾变的方法 | 第18-19页 |
§3.2 大光腔外延结构 | 第19-20页 |
§3.3 腔面膜设计 | 第20-27页 |
·理论分析 | 第20-21页 |
·腔面反射率的优化 | 第21-27页 |
第四章 光学薄膜理论基础 | 第27-33页 |
§4.1 单层膜的反射率 | 第27-29页 |
§4.2 多层膜的反射率 | 第29-33页 |
第五章 膜系设计 | 第33-43页 |
§5.1 膜料的选取 | 第33-35页 |
§5.2 膜系设计 | 第35-43页 |
·增透膜的设计 | 第36-40页 |
·高反射膜的设计 | 第40-43页 |
第六章 工艺制备 | 第43-55页 |
§6.1 设备介绍 | 第43-48页 |
§6.2 制备工艺 | 第48-52页 |
·主要工艺因素分析 | 第48-50页 |
·实验步骤 | 第50-51页 |
·注意事项 | 第51-52页 |
§6.3 测试结果及分析 | 第52-55页 |
·测试结果 | 第52-53页 |
·结果分析 | 第53-55页 |
结论 | 第55-56页 |
致谢 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-60页 |