自蔓延合成Si3N4晶粒生长规律及控制
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·氮化硅陶瓷 | 第10-18页 |
| ·氮化硅陶瓷的发展过程 | 第10-11页 |
| ·氮化硅的性能 | 第11-13页 |
| ·氮化硅陶瓷的应用 | 第13-16页 |
| ·制备Si_3N_4粉末的主要方法 | 第16-18页 |
| ·氮化硅陶瓷烧结的研究进展 | 第18页 |
| ·自蔓延合成技术 | 第18-21页 |
| ·自蔓延高温合成法简单概述 | 第18-19页 |
| ·自蔓延法的发展情况 | 第19页 |
| ·自蔓延制粉技术 | 第19-20页 |
| ·自蔓延点火方式 | 第20-21页 |
| ·自蔓延的发展趋势 | 第21页 |
| ·自蔓延法制备氮化硅粉科的影响因素 | 第21-22页 |
| ·初始硅粉粒度对反应的影响 | 第22页 |
| ·氮气压力对反应的影响 | 第22页 |
| ·课题的背景、目的及意义 | 第22-24页 |
| 第二章 实验原料和方法 | 第24-30页 |
| ·实验原料 | 第24页 |
| ·实验设备 | 第24-26页 |
| ·实验过程 | 第26-30页 |
| ·累积实验 | 第26-27页 |
| ·分层布料 | 第27-28页 |
| ·添加氧化硅 | 第28-30页 |
| 第三章 实验结果及分析 | 第30-46页 |
| ·氮化硅晶粒的长大机理 | 第30-35页 |
| ·分层布料对粉体结构和组成的影响 | 第35-43页 |
| ·分层布料对粉料晶体形貌的影响 | 第35-39页 |
| ·分层布料对氮化硅相组成的影响 | 第39-43页 |
| ·SiO_2对自蔓延制备氮化硅粉体的影响 | 第43-46页 |
| 第四章 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 在学研究成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
