| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| §1.1 光电二极管的原理 | 第7-11页 |
| ·光电二极管的结构 | 第7-8页 |
| ·光电二极管的动作原理 | 第8-9页 |
| ·电流电压特性 | 第9-10页 |
| ·用于光电二极管的半导体材料 | 第10-11页 |
| §1.2 氧化锌的结构和性质 | 第11-15页 |
| ·ZnO的结构 | 第11页 |
| ·ZnO的性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO薄膜的研究进展 | 第13-15页 |
| §1.3 本论文的研究内容和意义 | 第15-16页 |
| 第二章 n-ZnO/p-Si光电二极管的制备和表征 | 第16-22页 |
| §2.1 二极管的制备 | 第16-21页 |
| ·ZnO薄膜制备方法 | 第16-17页 |
| ·脉冲激光沉积方法 | 第17-19页 |
| ·电极的制备 | 第19-21页 |
| §2.2 ZnO薄膜表征和二极管光电流测试方法 | 第21-22页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第21页 |
| ·扫描电子显微术(SEM)和原子力显微术(AFM) | 第21页 |
| ·光电流测试 | 第21-22页 |
| 第三章 ZnO生长条件对二极管特性的影响 | 第22-41页 |
| §3.1 ZnO生长温度的影响 | 第22-25页 |
| §3.2 氧气压强的影响 | 第25-31页 |
| §3.3 缓冲层的影响 | 第31-36页 |
| §3.4 退火的影响 | 第36-40页 |
| §3.5 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 n-ZnO/p-Si的光电探测研究 | 第41-46页 |
| §4.1 光电流曲线 | 第41-43页 |
| §4.2 光电探测机理 | 第43-45页 |
| §4.3 小结 | 第45-46页 |
| 总结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 研究成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |