| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| ·引言 | 第6-11页 |
| ·本论文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 离子注入原理和纳米晶生长原理 | 第12-19页 |
| ·离子注入原理 | 第12-13页 |
| ·离子注入原理与技术 | 第12-13页 |
| ·离子注入设备 | 第13页 |
| ·TRIM 程序模拟 | 第13-14页 |
| ·纳米晶粒成核与生长 | 第14-19页 |
| ·一些纳米晶成核的研究 | 第14页 |
| ·离子注入产生的晶核生长原理 | 第14-15页 |
| ·离子注入过程中的成核 | 第15-16页 |
| ·退火过程中的成核与生长 | 第16-19页 |
| 第三章 实验过程 | 第19-25页 |
| ·样品的制备 | 第19-21页 |
| ·样品热处理 | 第21页 |
| ·辐照和退火样品的各种技术分析测试 | 第21-25页 |
| ·光致发光测试（PL） | 第21-22页 |
| ·电子自旋共振（ESR） | 第22-23页 |
| ·X 射线光电子能谱测试（XPS） | 第23-25页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第25-41页 |
| ·光致发光光谱测试(Photoluminescence PL)结果 | 第25-29页 |
| ·关于Si_3N_4薄膜中注入引起的蓝紫光发光讨论 | 第29-31页 |
| ·Si 离子注入Si_3N_4薄膜引起的红光及红外发光特性结果 | 第31-34页 |
| ·关于Si_3N_4薄膜中注入引起的红光及红外发光讨论 | 第34-41页 |
| 第五章 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |
