WO3材料三甲胺（TMA）气敏特性的研究
| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-15页 |
| ·课题来源及课题意义 | 第7-10页 |
| ·半导体TMA 气敏传感器国内外研究状况 | 第10-13页 |
| ·TiO_2 系列三甲胺气敏传感器的发展 | 第10-11页 |
| ·ZnO 系列三甲胺气敏传感器的发展 | 第11-12页 |
| ·其他半导体系列三甲胺气敏传感器的发展 | 第12-13页 |
| ·课题内容 | 第13页 |
| ·本文结构 | 第13-15页 |
| 第二章 半导体金属氧化物气敏传感器 | 第15-28页 |
| ·气敏传感器的分类 | 第15-16页 |
| ·半导体气敏传感器的应用和发展 | 第16-17页 |
| ·半导体金属氧化物的气敏机理 | 第17-26页 |
| ·半导体材料的缺陷理论 | 第17-21页 |
| ·半导体材料表面的气体吸附原理 | 第21-23页 |
| ·半导体材料表面催化理论 | 第23-24页 |
| ·半导体金属氧化物的导电模型 | 第24-26页 |
| ·半导体气敏传感器的主要特征参数 | 第26-28页 |
| 第三章 实验内容 | 第28-43页 |
| ·纳米三氧化钨材料的制备 | 第28-30页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第28-29页 |
| ·气相反应法 | 第29-30页 |
| ·元件的制作工艺流程及待测气体的制备 | 第30-33页 |
| ·旁热式烧结型气敏元件的结构 | 第30-31页 |
| ·旁热式烧结型气敏元件的制作 | 第31-32页 |
| ·三甲胺（TMA）气体的制备 | 第32-33页 |
| ·元件性能的测试 | 第33-43页 |
| ·气敏元件测试系统工作原理 | 第33-35页 |
| ·元件气敏性能的研究 | 第35-40页 |
| ·元件的选择特性 | 第40-41页 |
| ·元件的响应恢复特性 | 第41页 |
| ·元件的稳定性 | 第41-43页 |
| 第四章 敏感材料的微观分析 | 第43-51页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析 | 第43-47页 |
| ·扫描电镜分析 | 第47-49页 |
| ·透射电镜分析 | 第49-51页 |
| 第五章 WO_3 对 TMA 气体的敏感机理分析 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 个人简历 | 第59页 |
